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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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誰不喜歡失真的電吉他的隆隆聲?它是許多重要音樂流派的關(guān)鍵部分,特別是在布魯斯和搖滾音樂流派中,并且也經(jīng)常用于硬搖滾、金屬或朋克音樂流派。在這個(gè)項(xiàng)目中,我...
怎么用仿真軟件將設(shè)計(jì)的三極管開關(guān)仿真運(yùn)行起來
三極管處于放大狀態(tài),書本所教的是:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置;三極管處于飽和狀態(tài),書本所教的是:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)正向偏置;
在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下,存儲(chǔ)器和邏輯芯片半導(dǎo)體制造商通過提高晶體管密度來減少產(chǎn)品成本、提升性能。
2022-08-09 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管3D結(jié)構(gòu)光 1072 0
從 70 年代下半葉開始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...
硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化,其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...
如果無法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測(cè)量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
帶電粒子和伽馬射線會(huì)產(chǎn)生電離,從而改變?cè)O(shè)備的參數(shù)。這些變化是根據(jù)總電離劑量參數(shù) (TID) 估算的。吸收的電離劑量通常以 Rads 為單位測(cè)量,即每克材...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體晶體管 1819 0
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在?;诎雽?dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開關(guān)的真空管,使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...
LDO噪聲來源及環(huán)路穩(wěn)定性對(duì)輸出噪聲的影響
相位噪聲是時(shí)鐘、射頻頻綜最為關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)之一。影響鎖相環(huán)相噪的因素有很多,比如電源、參考源相噪、VCO 自身的相噪、環(huán)路濾波器的設(shè)置等。
電源設(shè)計(jì)的硬開關(guān)和軟開關(guān)的使用注意事項(xiàng)
開關(guān)元件是簡單的電子開關(guān),通常由三個(gè)引腳組成,其中一個(gè)引腳中的電壓或電流的存在允許電流在其他兩個(gè)引腳之間流動(dòng)。要將設(shè)備設(shè)置為導(dǎo)通或阻斷狀態(tài),并因此結(jié)束此...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 4482 0
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用 GaN Sy...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1753 0
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用 EPC 的 ...
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