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      標(biāo)簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注77人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。

      文章：5969個 瀏覽：141261次 帖子：850個

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      變頻器晶體管過熱的原因分析 變頻器晶體管過熱是一個常見的問題，其原因可能包括： 1.1 環(huán)境溫度過高：如果變頻器所處的環(huán)境溫度過高，會導(dǎo)致晶體管散熱不良...

      2024-08-08 標(biāo)簽：電流變頻器散熱器 1068 0

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      2023-02-23 標(biāo)簽：CMOS晶體管寄生電容 1066 0

      現(xiàn)代電子集成技術(shù)剖析：集成的尺度和維度

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      針對現(xiàn)有的硅基晶體管而言，大致受兩個因素的制約，一個是晶體管內(nèi)最小的結(jié)構(gòu)寬度，另一個是晶體管自身所占的面積（體積）。

      2023-11-01 標(biāo)簽：集成電路gpseda 1066 0

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      2024-12-30 標(biāo)簽：MOSFET晶體管FET 1066 0

      選擇保障線性穩(wěn)壓器穩(wěn)定度的ESR

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      輸出穩(wěn)定度對于任何電源設(shè)計而言都是一項關(guān)鍵問題。由于線性穩(wěn)壓器簡單易用（多數(shù)線性穩(wěn)壓器只有三個插腳），所以很容易忘記這一點的重要性。雖然目前具有許多能夠...

      2023-04-14 標(biāo)簽：電容器穩(wěn)壓器晶體管 1065 0

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      柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...

      2025-03-12 標(biāo)簽：芯片晶體管柵極 1064 0

      無晶體管存儲器技術(shù)解析

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      是什么讓晶體管替代具有吸引力？

      2020-07-15 標(biāo)簽：存儲技術(shù)晶體管 1063 0

      晶體管開關(guān)速度有兩種方法可以考慮一下

      在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級別），當(dāng)輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時能...

      2023-02-06 標(biāo)簽：晶體管肖特基二極管箝位電路 1062 0

      使用MAX6033A基準(zhǔn)提供高達(dá)80mA的電流

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      2023-02-14 標(biāo)簽：緩沖器電壓源晶體管 1062 0

      由原電池供電的遠(yuǎn)程患者監(jiān)護儀的電源設(shè)計要素

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      遠(yuǎn)程患者監(jiān)護儀(RPM)在不斷發(fā)展，包含的功能越來越多，使醫(yī)生能夠更深入地了解患者的健康狀況。這些功能對為監(jiān)護儀供電的單體電池提出了更高要求。本文為EC...

      2023-06-14 標(biāo)簽：電源晶體管RPM 1061 0

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      氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...

      2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 1060 0

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      調(diào)幅（AM）收音機中由火花引起的干擾（噪聲）從廣播的早期就一直是個問題。

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      驅(qū)動螺線管的常見方法是在螺線管線圈中施加所需的電壓。這通常可以使用配置在高側(cè)或低側(cè)的單個功率晶體管來完成。功率晶體管需要一個與螺線管并聯(lián)的續(xù)流二極管，因...

      2023-08-07 標(biāo)簽：二極管線圈驅(qū)動器 1059 0

      用氮化鎵重新考慮功率密度

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      作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，...

      2023-04-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器逆變器晶體管 1059 0

      晶體管頻率特性不擴展的原因

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      這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進行總結(jié)分析，講述晶體管頻率特性不擴展的原因!

      2023-01-10 標(biāo)簽：放大電路晶體管頻率特性 1056 0

      晶體管的元件溫度計算方法

      晶體管的元件溫度計算方法

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      2023-11-23 標(biāo)簽：晶體管功耗計算溫度計算 1051 0

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      與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

      2023-03-20 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1051 0

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        LM2596
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        光立方
        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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