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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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晶體管輸出和繼電器輸出是兩種常見的輸出方式,它們在自動化控制系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳細介紹晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別,包括它們的工作原理、特點、...
2024-06-21 標(biāo)簽:繼電器控制系統(tǒng)晶體管 3986 0
光耦知識分享 | 深入探討AC晶體管光耦與DC晶體管光耦的結(jié)構(gòu)及性能差異
在快速發(fā)展的現(xiàn)代電子技術(shù)中,光耦憑借其卓越的電氣隔離和信號傳輸能力,成為了電路設(shè)計中的關(guān)鍵角色。晶體管光耦主要被細分為AC型和DC型,兩者雖在功能上相似...
在工業(yè)自動化領(lǐng)域,PLC(Programmable Logic Controller,可編程邏輯控制器)扮演著至關(guān)重要的角色。作為控制系統(tǒng)的核心,PLC...
2024-06-14 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)plc晶體管 3228 0
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道,但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)損耗 2232 0
功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排
相信大家都知道,全球氣候變暖問題日益嚴重,節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導(dǎo)體技術(shù),作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一,在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。...
2024-06-12 標(biāo)簽:電子設(shè)備晶體管功率半導(dǎo)體 799 0
為什么使用 S 參數(shù)進行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢?
功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、光伏、風(fēng)能和...
在現(xiàn)代電動車輛和電力電子領(lǐng)域,電機控制器扮演著至關(guān)重要的角色,它負責(zé)控制電機的運行,確保車輛或其他設(shè)備的正常運行。而IGBT(Insulated Gat...
這是一個使用UJT晶體管的鋸齒波發(fā)生器電路很容易。在圖1電路中,Q1使用的電路是UJT,用于連接VR1(電位器),VR2和C1。它們充當(dāng)鋸齒波發(fā)生器電路...
2024-06-09 標(biāo)簽:發(fā)生器電路晶體管鋸齒波發(fā)生器 1347 0
BC109是一個NPN型的小信號晶體管,主要由三個區(qū)域組成:發(fā)射區(qū)(Emitter)、基區(qū)(Base)和集電區(qū)(Collector)。這三個區(qū)域通過PN...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場景,MOS管在電源、電力電子、電機控制...
MOS管,作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。然而,在MOS管的工作過程中,有時會出現(xiàn)電壓或電流尖峰現(xiàn)象,這不僅可能影響電路...
在電子工程領(lǐng)域中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)因其高集成度、低功耗等特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOSFET在開關(guān)過程中可能...
尖峰電流和計算電流是電力電子領(lǐng)域中的兩個重要概念,它們在電路分析和設(shè)計中扮演著關(guān)鍵角色。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬 0
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