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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體管雖然很神奇,但比較脆弱,需要保護(hù),因此在晶體管發(fā)明的同一年,電子封裝也出現(xiàn)了,其首要任務(wù)就是對晶體管進(jìn)行保護(hù),并通過引線進(jìn)行晶體管內(nèi)部和外部的電氣...
Standard cell是怎么應(yīng)用到我們的后端設(shè)計中的呢?
Standard cell,標(biāo)準(zhǔn)單元,或者簡稱cell,可以說是數(shù)字芯片后端最基本的概念之一了,甚至可能沒有接觸過后端的同學(xué)也有所耳聞?
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動的速度快了70...
有了原理圖,并借助模塊化結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)了兩個問題。11.5 MHz IF模塊無法正常工作。通過將其取出并單獨上電并向其饋入11.5 MHz信號進(jìn)行了驗證。
英特爾則是認(rèn)為可以使用一種GAA FET的最新形態(tài)——堆疊式CFET場效應(yīng)管架構(gòu)。這種架構(gòu)的集成密度進(jìn)一步提升,將n型和p型MOS元件堆疊在一起,可以堆...
手機(jī)芯片焊接溫度是 150℃-250℃之間 。手機(jī)芯片焊接溫度是指在手機(jī)芯片生產(chǎn)過程中,將芯片與印制電路板(PCB)進(jìn)行連接的溫度環(huán)境。焊接溫度的控制對...
差分放大電路(Differential Amplifier Circuit)是一種用于放大輸入信號的電路,常用于放大與地?zé)o關(guān)的差分信號,例如在語音處理、...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
常見NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應(yīng)用電路設(shè)計
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導(dǎo)體表面不是反型的,此時由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會導(dǎo)通。...
High Yield的顏色編碼幫助我們快速獲得現(xiàn)代SoC中每個不同構(gòu)建塊的相對尺寸的高級視圖,如圖所示的三個處理器。當(dāng)我們?yōu)g覽這個系列時,你可以看到蘋果...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2051 0
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