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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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引言:短路保護(hù)對(duì)于確保輸出電源的可靠性至關(guān)重要,短路故障可能會(huì)導(dǎo)致電源故障,甚至?xí)?dǎo)致系統(tǒng)損壞。短路保護(hù)最常見的實(shí)現(xiàn)方式是通過使用限流來控制輸出,因此了...
在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來考慮這種器件的一個(gè)簡(jiǎn)化模型,以便對(duì)晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
放大電路的作用是將小信號(hào)放大為大信號(hào)。下圖是用三極管組成的放大電路。基極是信號(hào)輸入,集電極是信號(hào)輸出,發(fā)射極是公共端(地)。此電路稱為共發(fā)射極放大電路。
晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能,即當(dāng)輸入信號(hào)通過晶體管或者FET后,輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 標(biāo)簽:二極管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 1952 0
三極管的基本結(jié)構(gòu)和優(yōu)缺點(diǎn) 三極管的作用和工作原理圖講解
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
FHL385N1F1A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)
近日,在2023全球移動(dòng)寬帶論壇期間,華為首發(fā)5.5G產(chǎn)品解決方案,網(wǎng)絡(luò)能力提升10倍。網(wǎng)絡(luò)能力的進(jìn)一步提升,必將帶動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的增長(zhǎng)。通信電源作為保...
2023-10-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管華為MOS管 794 0
"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在?
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是互補(bǔ)金...
邊界掃描-Boundary Scan技術(shù)及其在芯片測(cè)試中的應(yīng)用
首先我們都知道***BSCAN***是一種用于測(cè)試和驗(yàn)證集成電路的技術(shù)。在集成電路中,有許多引腳***(pins)*** 用于與其他器件進(jìn)行通信和連接。
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程簡(jiǎn)介 MOSFET及相關(guān)器件介紹
當(dāng)PN正向偏置時(shí),電流隨電壓的增大而迅速增大。當(dāng)反向偏置時(shí),電流很小且隨電壓增大變化不大,但是當(dāng)電壓達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向?qū)ㄅc反...
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
近年來,我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸
在芯片制程中,介質(zhì)層起到了非常重要的作用。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離,還在多層互連結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)了信號(hào)的高效傳輸。那么目前芯片制程中常見的介質(zhì)材料有...
氮化鎵晶體管簡(jiǎn)化大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)
叉車應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電,可提供高達(dá) 900 ARMS 電機(jī)相電流。通常,每個(gè)生產(chǎn)商都有一個(gè)平臺(tái)方法,并銷售按電...
2023-10-18 標(biāo)簽:逆變器微處理器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2053 0
高開關(guān)頻率對(duì)逆變器和電機(jī)效率的影響
使用脈寬調(diào)制(PWM)控制技術(shù)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在逆變器中會(huì)遇到高頻開關(guān)損耗,而高頻電機(jī)損耗與電流紋波有關(guān)。這意味著必須在系統(tǒng)級(jí)別存在必須調(diào)查的權(quán)衡。為了了...
簡(jiǎn)單的分立元件振蕩器設(shè)計(jì)中蘊(yùn)含的巧妙思想
這次推文來探討一個(gè)看似簡(jiǎn)單的振蕩器設(shè)計(jì),電容三點(diǎn)式的晶體振蕩器,此設(shè)計(jì)初看極其平淡無奇,其中卻內(nèi)涵巧妙
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