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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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目錄驅(qū)動(dòng)電路的介紹驅(qū)動(dòng)電路隔離措施驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)電路的要求驅(qū)動(dòng)電路實(shí)質(zhì)led驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)須知電路組成驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路的介紹驅(qū)動(dòng)電...
數(shù)據(jù)手冊(cè)#TPS732系列 250mA 高精度、超低壓差穩(wěn)壓器,具有反向電流保護(hù)和使能功能
TPS732 低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器在電壓跟隨器配置中使用 NMOS 傳輸晶體管。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用具有低等效串聯(lián)電阻 (ESR) 的輸出電容器即可穩(wěn)...
2025-03-11 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻ldo晶體管 442 0
數(shù)據(jù)手冊(cè)#TPS736系列 400mA 高精度超低壓差穩(wěn)壓器,具有反向電流保護(hù)和使能功能
TPS736 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):采用電壓跟隨器配置的 NMOS 傳輸晶體管。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用低 ESR 的輸出電容器時(shí)...
數(shù)據(jù)手冊(cè)#LP38513 3-A,超低壓差穩(wěn)壓器,電源正常并啟用1.8 V
LP38513快速響應(yīng)超低壓差線性穩(wěn)壓器采用 2.25V 至 5.5V 輸入電源供電。該器件對(duì)線路或負(fù)載條件的階躍變化做出非??焖俚捻憫?yīng),因此適用于低壓...
ADL8104 0.4GHz至7.5GHz的高線性度寬帶低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè)
ADL8104 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶高線性度放大器,工作范圍為...
TL783系列 700mA、125V、可調(diào)線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TL783 器件是一款可調(diào)節(jié)的三端子高壓穩(wěn)壓器,具有 范圍為 1.25 V 至 125 V,DMOS 輸出晶體管能夠提供超過 700 mA 的電流。設(shè)計(jì)...
2025-03-10 標(biāo)簽:電流穩(wěn)壓器線性穩(wěn)壓器 615 0
前言IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為光伏逆變器的“心臟”,承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而,這一關(guān)鍵部件的炸毀問題頻發(fā),不僅導(dǎo)致高昂的維修成本...
【DT半導(dǎo)體】獲悉,隨著人工智能(AI)技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng),同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍,替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體...
在芯片制造中,有源區(qū)(Active Area)是晶體管的核心工作區(qū)域,負(fù)責(zé)電流的導(dǎo)通與信號(hào)處理。它如同城市中的“主干道”,決定了電路的性能和集成度。
在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源...
淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個(gè)晶體管,這些晶體管通過細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。
針對(duì)12V輸入電路的產(chǎn)品電路設(shè)計(jì),需要有更高的電壓安全系數(shù)。這一款2025年新推出到市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)MOS管以BVDSS_typ=55V的參數(shù)性能幫助解決上述問題。
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?:并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用...
安森美SiC Cascode JFET的背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode...
HFA3135超高頻匹配對(duì)晶體管應(yīng)用筆記
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補(bǔ)雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對(duì),NFN晶體管的fT為8.5CHz,而FPNP晶體...
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