完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
文章:5965個(gè) 瀏覽:141144次 帖子:850個(gè)
產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動(dòng)),都將造成輸出電壓漂移。實(shí)踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
2016-12-08 標(biāo)簽:耦合晶體管零點(diǎn)漂移 2.4萬(wàn) 0
優(yōu)點(diǎn)是不同公共點(diǎn)之間可帶不同的交、直流負(fù)載,且電壓也可不同,帶負(fù)載電流可達(dá)2A/點(diǎn);但繼電器輸出方式不適用于高頻動(dòng)作的負(fù)載,這是由繼電器的壽命決 定的。...
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類(lèi)型
眾所周知,MOSFET是晶體管的一種,也稱(chēng)為IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中,通道和柵極通過(guò)薄的...
第三個(gè)特性,當(dāng)E極接地,如果足夠大,那么就更加的大,這就預(yù)示著之間的電阻就更加的小。因?yàn)殡娏髟酱?,電阻就越小。小到我們近似的認(rèn)為CE之間是短路的。電流大...
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱(chēng)為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
發(fā)現(xiàn)一次擊穿發(fā)生時(shí)如不有效地限制電流,Ic增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升,同時(shí)伴隨著電壓的陡然下降,這種現(xiàn)象稱(chēng)為二次擊穿。
半導(dǎo)體器件內(nèi)部的工作原理(動(dòng)畫(huà)講解)
在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中,空穴為多數(shù)載流子,自由電子為少數(shù)載流子。
2020-05-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管本征半導(dǎo)體 2.4萬(wàn) 3
PCIe4.0 x16與x8對(duì)RTX 4060級(jí)別顯卡性能有何影響?
如果是PCIe 4.0 x16插槽,那第二條PCIe插槽接入設(shè)備之后,第一條PCIe插槽也會(huì)降速到x8,如今RTX 4060系列的PCIe主動(dòng)減少到x8...
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.3萬(wàn) 0
晶體管是一種電子器件,它有三個(gè)電極:基極、集電極和發(fā)射極。 基極是晶體管的輸入端,也稱(chēng)為“正向基極”,是一個(gè)半導(dǎo)體金屬片,通常是一個(gè)鍍錫或鍍銀...
光電晶體管和光電二極管是密切相關(guān)的電光傳感器,它們?cè)谖恢?存在感測(cè)、光強(qiáng)度測(cè)量和高速光脈沖檢測(cè)等應(yīng)用中可將入射光轉(zhuǎn)換成電流。但是,要充分利用這些器件,設(shè)...
NPN和PNP是兩種常用的晶體管電路。它們?cè)诠I(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中起著重要作用。
2023-06-14 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)plc晶體管 2.3萬(wàn) 0
晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么?如何去實(shí)現(xiàn)呢?
晶閘管導(dǎo)通條件:門(mén)極G加觸發(fā)信號(hào),主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
第11代酷睿i7-1185G7詳細(xì)測(cè)評(píng):采用全新“SuperFin”晶體管技術(shù)
英特爾在9月初正式發(fā)布了第11代酷睿Tiger Lake移動(dòng)平臺(tái),它最大的特色就是采用了全新的SuperFin晶體管技術(shù),江湖人稱(chēng)10nm+。同時(shí),第1...
場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別及判定方法
場(chǎng)效應(yīng)管:FET是Field-Effect-Transistor的縮寫(xiě),一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此...
2019-08-14 標(biāo)簽:萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2.2萬(wàn) 0
MOSFET(圖中以Nch為例)通過(guò)給柵極施加電壓在源極與漏極間創(chuàng)建通道來(lái)導(dǎo)通。另外,柵極通過(guò)源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會(huì)流過(guò) “導(dǎo)通”意義上的電...
萬(wàn)用表使用口訣來(lái)了,對(duì)照使用事半功倍!
測(cè)量中不能任意撥動(dòng)選擇旋鈕,特別是測(cè)高壓(如220V)或大電流(如0.5A)時(shí),以免產(chǎn)生電弧,燒壞轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)。測(cè)量完畢,應(yīng)將量程選擇開(kāi)關(guān)撥到“?”位置。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |