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晶格技術(shù)

InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器研究進(jìn)展

隨著材料技術(shù)的發(fā)展，InAs/GaSbⅡ類超晶格（T2SLs）的優(yōu)越性日益凸顯，特別適用于中長(zhǎng)波紅外（MLWIR）和甚長(zhǎng)波紅外（VLWIR）探測(cè)?；贗...

2023-09-09 標(biāo)簽：探測(cè)器晶格 PIN 2401 0

異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展

金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩...

2023-07-12 標(biāo)簽：電子器件金剛石晶格 2060 0

InAs/GaSb II類超晶格長(zhǎng)波焦平面陣列臺(tái)面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu)，可以...

2022-11-29 標(biāo)簽：工藝晶格 ICP 1953 0

中南大學(xué)周江教授Angewandte Chemie廢富鎳正極直接升級(jí)為富鋰單晶正極的通用熔鹽法！

為了獲得進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)，實(shí)時(shí)記錄晶體結(jié)構(gòu)的演變對(duì)于研究單晶和富鋰產(chǎn)物的形成機(jī)制至關(guān)重要。圖2a顯示了在空氣氣氛中從30℃到800℃合成過(guò)程中原位x射線衍射...

2023-05-10 標(biāo)簽：正極材料晶格能量密度 1845 0

動(dòng)圖看懂晶體缺陷

晶體缺陷就是實(shí)際晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的不完整區(qū)域。

2023-07-17 標(biāo)簽：晶體缺陷晶格 1749 0

金屬材料激光加工過(guò)程中的四大階段

激光束首先在金屬工件表面進(jìn)行聚焦形成激光光斑，由菲涅爾吸收原理可知，在距離金屬材料加工表面幾納米深度的位置處激光能量進(jìn)行聚集。金屬中的自由電子開(kāi)始吸收光...

2023-09-15 標(biāo)簽：金屬材料晶格激光束 1749 0

鐵基超導(dǎo)基本層狀結(jié)構(gòu)單元

這兩個(gè)層面給我們的啟示是，這里的晶體結(jié)構(gòu)基元堆砌幾何和尺寸，對(duì)鐵基超導(dǎo)電性有重要作用。

2022-10-21 標(biāo)簽：晶格超導(dǎo)材料 1743 0

Ⅱ類超晶格紅外探測(cè)器多層膜背增透研究

本文通過(guò)FDTD Solutions建立Ⅱ類超晶格紅外焦平面陣列器件仿真模型，通過(guò)改變多層膜中的膜系厚度得到透射和反射光譜，經(jīng)由仿真結(jié)果選擇合適的膜系及...

2023-04-06 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器 FDTD 晶格 1724 0

基于削弱原子間相互作用抑制晶格熱導(dǎo)率的有效策略

具有極低晶格熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體在熱電材料和熱障涂層等與熱能轉(zhuǎn)換和管理相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域非常受歡迎。雖然晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵在形成傳熱行為中起著至關(guān)重要的作用，但利用...

2022-10-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)庫(kù)晶格熱電材料 1640 0

基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構(gòu)的自旋卡諾電子學(xué)器件設(shè)計(jì)

為了減小界面處的晶格形變，提高電子透射性能，我們基于STGNR和5-STGNR納米帶，設(shè)計(jì)了全新的自旋卡諾電子學(xué)器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理...

2023-09-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體石墨烯晶格 1559 0

鈣鈦礦涂層穩(wěn)定超高鎳正極

層狀鈣鈦礦La4NiLiO8中氧空位/間隙能夠有效抑制表面晶格中高活性氧釋放，從而提高了電池安全性能，緩解了超高鎳層狀氧化物正極材料LiNi0.9Co0...

2023-02-02 標(biāo)簽：鋰離子正極晶格 1537 0

CO2輔助生成富含晶界的Cu催化劑實(shí)現(xiàn)高效CO-CO偶聯(lián)

結(jié)構(gòu)表征揭示，在CO2的輔助下，La2CuO4鈣鈦礦氧化物中的La位點(diǎn)能夠從晶格中脫出溶解，誘導(dǎo)了晶格中Cu位點(diǎn)的還原和重排，最終形成富含晶界的多晶銅納...

2023-03-17 標(biāo)簽：催化劑晶格 1457 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 1456 0

拉伸孿晶和壓縮孿晶對(duì)比

孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化，相互交錯(cuò)的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒，誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時(shí)也會(huì)阻礙位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，位錯(cuò)在晶界處塞積引發(fā)應(yīng)力集中又可能為...

2024-01-06 標(biāo)簽：晶格晶粒 1398 0

帶間級(jí)聯(lián)紅外探測(cè)器的光電流輸運(yùn)與量子效率研究

基于II類超晶格的帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器首次由俄亥俄州立大學(xué)的楊瑞青教授提出，并已成功應(yīng)用于紅外光電探測(cè)中，其工作原理如圖1所示。當(dāng)光照射在器件上，吸收區(qū)中的電...

2023-09-25 標(biāo)簽：探測(cè)器量子紅外探測(cè)器 1384 0

在氧化鎵基日盲雪崩探測(cè)器研究領(lǐng)域取得新突破！

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測(cè)器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過(guò)不斷探索，通過(guò)插入合適的寬帶隙材料...

2023-02-10 標(biāo)簽：晶格光電探測(cè)器氧化鎵 1328 0

低溫傳輸測(cè)量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時(shí)的預(yù)期特征。在圖1b中，四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時(shí)使...

2023-02-10 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1282 0

Nature：預(yù)測(cè)晶體結(jié)構(gòu)！

作者提供了一種普遍適用的CSP算法，該算法處理可能原子位置的連續(xù)空間，以正確預(yù)測(cè)不同的結(jié)構(gòu)集。該方法確定了算法之前未知的所有原子位置。所使用的局部極小與...

2023-07-13 標(biāo)簽：算法晶格晶體結(jié)構(gòu) 1229 0

H摻雜Ga2O3的缺陷計(jì)算（準(zhǔn)備計(jì)算PREPARE01）

Ga2O3是一種透明導(dǎo)電氧化物，表現(xiàn)出天然的n型導(dǎo)電性和高光學(xué)透明度，在平板顯示器、觸摸控制面板和顯示器、太陽(yáng)能電池的頂表面電極和固態(tài)光發(fā)射器等技術(shù)中具...

2023-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)射器晶格 1210 0

硅基復(fù)合襯底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格結(jié)構(gòu)材料工藝研究

碲鎘汞材料具有截止波長(zhǎng)在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學(xué)吸收系數(shù)高、量子效率高等特點(diǎn)，是重要的紅外探測(cè)器應(yīng)用材料之一。近年來(lái)分子束外延生長(zhǎng)碲鎘汞技術(shù)的快速發(fā)展，使...

2023-09-26 標(biāo)簽：探測(cè)器測(cè)溫儀晶格 1194 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

TOF

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角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

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機(jī)械臂

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MPSoC

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Genesys

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
ATmega16單片機(jī)

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緩沖電路

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LPC2368

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Buck-Boost

Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開(kāi)單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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