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標(biāo)簽 > 晶閘管
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
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IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。
單向晶閘管也叫單向可控硅,它的英文縮寫為SCR。由于單向晶閘管具有成本低、效率高、性能可靠等優(yōu)點(diǎn),所以被廣泛應(yīng)用在開關(guān)控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變...
脫開電路板的單向晶閘管,陽極(A)、陰極(K)和控制極(G)明確標(biāo)示;正常的單向閘管,陽極(A)、陰極(K)兩個(gè)引腳之間的正、反向電阻,陽極(A)、控制...
可控硅工作原理 可控硅是干什么用的 可控硅內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
可控硅又稱為晶閘管,晶閘管是硅晶體閘流管的簡稱??煽毓枋谴蠊β首兞髌骷?,利用其整流可控特性可方便地對(duì)大功率電源進(jìn)行控制和變換。
聲光控電子開關(guān)電路主要由聲控電路。光控電路。觸發(fā)及延時(shí)電路。控制電路供電電路。受控電路等組成,其實(shí)本電路主要用于夜晚或光線較暗的時(shí)間使用,可以起到自動(dòng)控...
單向晶閘管內(nèi)有三個(gè)PN 結(jié),它們是由相互交疊的4 層P區(qū)和N區(qū)所構(gòu)成的。如圖(a) 所示。晶閘管的三個(gè)電極是從P1引出陽極A,從N2引出陽極K ,從P2...
晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重?fù)诫s的P+和N+層,與門極相連的重?fù)诫sP+層,此三層的厚度(在圖中體現(xiàn)為寬度)都較小,剩...
2018-05-23 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
軟啟動(dòng)器啟動(dòng)前與啟動(dòng)后的常見故障分析
一般電動(dòng)機(jī)的控制裝置采用接觸器直接啟停的方式,是因?yàn)樗刂品绞胶唵?、?jīng)濟(jì),但是它對(duì)系統(tǒng)的沖擊大,控制元件易于損壞,維護(hù)工作量大。近年來,隨著計(jì)算機(jī)控制技...
2017-11-10 標(biāo)簽:晶閘管電動(dòng)機(jī)軟啟動(dòng)器 1.3萬 0
輸出電壓為零。牽扯三方面的電路,一為主電路損壞,如晶閘管V1、電流采樣電阻R3有開路性損壞;二為保護(hù)電路誤動(dòng)作,強(qiáng)制移相觸發(fā)電路停止工作;三為稱相觸發(fā)電...
2019-08-05 標(biāo)簽:晶閘管脈沖信號(hào)直流調(diào)速器 1.3萬 0
雙電壓整流電路設(shè)計(jì),IGBT模塊適用于整流電路嗎?
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可,把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2...
2017-05-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管整流電路 1.3萬 1
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
晶閘管的好壞可以通過測量其阻值、漏電流和漏電壓來判斷。阻值可以通過萬用表測量,漏電流和漏電壓可以通過示波器測量。
本文首先闡述了穩(wěn)壓二極管、三極管和晶閘管這三者的工作原理,另外還詳細(xì)介紹了穩(wěn)壓二極管、三極管、單結(jié)構(gòu)晶體管及晶閘管工作性能速測電路圖。
2018-05-21 標(biāo)簽:三極管穩(wěn)壓二極管晶閘管 1.2萬 0
基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來的發(fā)展前景
中國的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預(yù)計(jì)將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術(shù)。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開關(guān)IGBT,相...
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