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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能,通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源,符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn),如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC,工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號(hào)增益,+44.5 dBm飽和輸出...
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 3327 0
氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件:Driving-Elec...
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可滿足高功率應(yīng)用,例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著,當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí),具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行,不...
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W (46 dBm) 的...
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?:并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用...
氮化鎵(GaN)充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案
什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),使用增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 387 0
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 384 0
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出...
TIDA-010236:適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),具有頂部冷卻的氮化鎵 (GaN) 子板和TMS320F280025C...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊,具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點(diǎn),轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%,應(yīng)用廣泛,性價(jià)比高...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 338 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊,通過(guò)外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 388 0
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