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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...
一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
2022-04-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2007 0
幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨(dú)特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...
在現(xiàn)代5G無線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。
利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中，初級MOSFET和有源鉗位開關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路）。
隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網(wǎng)絡(luò)有望提供三種非常重要的功能，進(jìn)而改變我們應(yīng)用無線技術(shù)的方式。
2021-09-15 標(biāo)簽：無線電氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 3885 0
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個(gè)充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...
一文看懂氮化鎵：納微最全介紹，帶你極速認(rèn)識第三代半導(dǎo)體
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。
2021-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.2萬 0
如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會(huì)流過體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過熱。
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造，采用破壞性拆解，不具備復(fù)原性和可維修性，電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個(gè)整體，提高適配器防水...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個(gè)整體，提高適配器整體防水性、導(dǎo)熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強(qiáng)適配...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2689 0
激光雷達(dá)的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進(jìn)行的（遠(yuǎn)程）檢測和測量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡單的雷達(dá)原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)進(jìn)行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時(shí)，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點(diǎn)出現(xiàn)在變...
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