激光雷達(dá)的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽：散熱器氮化鎵GaN 7024 0

調(diào)節(jié)氮化鎵熱量實(shí)現(xiàn)高溫穩(wěn)定性的MEMS諧振器

盡管基于硅的MEMS諧振器實(shí)現(xiàn)了高的時(shí)間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩(wěn)定。

2021-01-29 標(biāo)簽：CMOS氮化鎵MEMS諧振器 2395 0

GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)

高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...

2021-01-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2163 0

基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。

2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2749 0

一文解讀DC/DC轉(zhuǎn)換器的熱管理及熱分析

系統(tǒng)級(jí)熱設(shè)計(jì)對(duì)于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來(lái)越多的分布式電源架構(gòu)（DPA）使用增加了熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

2021-01-20 標(biāo)簽：熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6115 0

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-01-11 標(biāo)簽：激光器氮化鎵adas 5410 0

基于GaN晶體管的特性測(cè)量交叉導(dǎo)通方案

驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的死區(qū)時(shí)間。

2021-01-08 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源晶體管氮化鎵 2637 0

線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級(jí)聯(lián)小信號(hào)增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計(jì)人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...

2020-12-21 標(biāo)簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3258 0

Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來(lái)趨勢(shì)

5G 使得通信行業(yè)迎來(lái)重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時(shí)代開(kāi)始就處于快速增長(zhǎng)的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機(jī)通信功能的核心組件，將直接受益。

2020-09-03 標(biāo)簽：射頻emi氮化鎵 4575 0

利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率

但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過(guò)不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...

2020-08-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 2906 0

氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用

作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...

2020-05-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN英諾賽科 2.5萬(wàn) 2

東微半導(dǎo)體超級(jí)硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求

東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級(jí)應(yīng)用的高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品系列，在國(guó)產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位，廣泛應(yīng)用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...

2020-04-22 標(biāo)簽：mosfet半導(dǎo)體氮化鎵 6808 0

氮化鎵GaN充電器中同步整流的應(yīng)用

整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋N...

2020-04-07 標(biāo)簽：氮化鎵同步整流MPS 1.3萬(wàn) 0