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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

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氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì),如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí),這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì),因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...

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一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

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在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半...

2024-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體cpugpu 3736 0

一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722

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氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù),在充電速度、安全性做到了突破。

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LED的發(fā)光過(guò)程主要包括載流子注入和復(fù)合兩個(gè)步驟。當(dāng)外加電壓施加在LED的正向偏置端時(shí),電流通過(guò)LED的正向偏置結(jié)并注入到半導(dǎo)體材料中。

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普通充電器 vs 氮化鎵充電器區(qū)別

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當(dāng)前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開(kāi)關(guān)型”的電源模式,其核心的輸出效率和負(fù)載能力(輸出電流大小,恒壓)瓶頸就在內(nèi)部集成的開(kāi)關(guān)管的頻率。

2024-03-18 標(biāo)簽:充電器功率轉(zhuǎn)換氮化鎵 7534 0

四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用

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除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN(額定值 >=600V)外,新的中壓 GaN 解決方案(額定值 80V-200V)也日益受到歡迎,可在高壓 GaN ...

2024-03-15 標(biāo)簽:逆變器電池電壓氮化鎵 5870 0

集成柵極驅(qū)動(dòng)器的GaN ePower超快開(kāi)關(guān)

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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注,但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間,但GaN...

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為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料?

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發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種電子器件,可以將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光。它由半導(dǎo)體材料制成,是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳...

2024-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管電子器件 3970 0

為何及如何將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于高效、高電壓、開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用

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作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通...

2024-02-13 標(biāo)簽:電源電子遷移氮化鎵 2047 0

pd快充和氮化鎵區(qū)別在哪

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vivo氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

Vivo是一家知名的中國(guó)智能手機(jī)制造商,其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別,內(nèi)容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...

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蘋(píng)果氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

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小米氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

小米氮化鎵充電器是一種新型充電器,它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個(gè)方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先,小米氮化...

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筆記本氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別在哪

筆記本電腦是現(xiàn)代人生活中必不可少的電子設(shè)備之一,而電池的續(xù)航時(shí)間則直接關(guān)系到筆記本的使用體驗(yàn)。因此,選擇一款高效穩(wěn)定的充電器對(duì)于延長(zhǎng)筆記本電腦的使用時(shí)間...

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氮化鎵不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化鎵(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來(lái),氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用...

2024-01-10 標(biāo)簽:充電器電子器件半導(dǎo)體材料 1379 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽:氮化鎵金屬晶格 4576 0

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