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標簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

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簡單來說,化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序,只是生成半成品電芯,還未完成激活就無法正常使用,因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì),...

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淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢

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使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

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近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展,相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

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氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...

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