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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件,具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器,具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較,幫助您更好...
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備,它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細介紹氮化鎵充電器和普通...
隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運行,需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...
SIC比SI有什么優(yōu)勢?碳化硅優(yōu)勢的實際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...
簡單來說,化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序,只是生成半成品電芯,還未完成激活就無法正常使用,因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì),...
以碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高,碳化...
使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計這一趨勢將持續(xù)下去,從而實現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計工程師介紹了意法半導(dǎo)體(ST)的電源解決方案...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展,相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中,如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 2362 0
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