碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體

不久前，SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的，但到了2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...

2022-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC氮化鎵 1299 0

軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個(gè)行...

2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 3835 0

GaN FET解決方案

我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對(duì)電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場(chǎng)中，他們只需要越來越高的效率，所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%，這讓您進(jìn)入鈦...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET整流器氮化鎵 923 0

太空任務(wù)中的eGaN晶體管泊位

氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長(zhǎng)期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。E...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源MOSFET氮化鎵 1010 0

采用 GaN 技術(shù)的快速充電器

氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源氮化鎵GaN 1607 0

投資者投資無人機(jī)、機(jī)器人無線充電

WiBotic是一家設(shè)計(jì)和制造無人機(jī)和機(jī)器人電池充電解決方案的公司，獲得了投資者的信任。這家成立 4 年的初創(chuàng)公司已獲得 570 萬美元的 A 輪融資。...

2022-07-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器機(jī)器人氮化鎵 1971 0

GaN為高效功率器件鋪平了道路

由于其化學(xué)物理特性和高度可靠的制造工藝，硅 （Si） 多年來一直是制造無源和有源電子元件最常用的半導(dǎo)體。MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入也使得 S...

2022-07-26 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1343 0

在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時(shí)鐘的GaN FET開關(guān)

本文將討論三個(gè)貢獻(xiàn)。它將通過對(duì) N 相切換和分相切換方案進(jìn)行比較并突出它們的優(yōu)勢(shì)來初步分析它們。對(duì)于小負(fù)載，N 相方案效率更高，而分相方案適用于較重的負(fù)...

2022-07-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電感器氮化鎵 631 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國(guó)際電子器件會(huì)議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...

2022-07-26 標(biāo)簽：氮化鎵HEMT 1563 0

數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU

數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器，每個(gè)都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...

2022-07-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1622 0

PN8213+PN8307P+AP2080的65W PD快充方案

65W PD快充方案不但可以支持手機(jī)的大功率快速充電還可以支持20V輸出，可以為電腦充電，具有通用性好的優(yōu)點(diǎn)，搭配氮化鎵，體積可以做到很小，驪微電子推出...

2022-06-20 標(biāo)簽：PD氮化鎵快充方案 3108 0