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標(biāo)簽 > 浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開(kāi)電感負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生很高的操作過(guò)電壓,這種瞬時(shí)過(guò)電壓(或過(guò)電流)稱為浪涌電壓(或浪涌電流),是一種瞬變干擾。
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集成慢管驅(qū)動(dòng)的圖騰柱PFC數(shù)字控制器HP1012詳解
近期我們推出的圖騰柱 PFC 數(shù)字控制器 HP1010 憑借其高效靈活,電路精簡(jiǎn)的優(yōu)勢(shì)解決了圖騰柱無(wú)橋的關(guān)鍵技術(shù)痛點(diǎn),獲得市場(chǎng)的高度認(rèn)可。
2023-12-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PFC電磁干擾 1603 0
什么是雙85型X2安規(guī)電容?是不是所有的X2安規(guī)電容都能過(guò)雙85測(cè)試呢?
X2安規(guī)電容可以細(xì)分為很多種類型,比如科雅KYET系列的X2電容就有:抗干擾型、阻容降壓型、PD快充專用小體積低噪音型,還有一種就是雙85型,是不是所有...
鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC 國(guó)家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓,常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到...
斷路器三相同時(shí)通電時(shí),經(jīng)過(guò)全橋整流之后加在可控硅兩端的直流電壓超過(guò)500V,對(duì)單個(gè)可控硅的參數(shù)要求非常高,目前主流產(chǎn)品都是采用雙硅串聯(lián)的電路,以此降低單...
在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,因?yàn)樯婕暗睫D(zhuǎn)換效率問(wèn)題, 輸出電流的大小和輸入輸出電壓都有一定的關(guān)系。換句話說(shuō),達(dá)到最大的輸出電流,需要滿足一定的條件。 在選型...
請(qǐng)問(wèn)MPB-A是什么電容器?能用于阻容降壓電路中嗎?
MPB電容我們不陌生,它指的就是金屬化聚丙烯薄膜電容器,外部使用阻燃塑膠外殼封裝,它的密封性能更好,穩(wěn)定性、耐高溫性能更好,電容器的使用壽命也會(huì)更長(zhǎng)一些,
2024-04-12 標(biāo)簽:電容器LED驅(qū)動(dòng)浪涌電壓 808 0
在無(wú)任何雷電征兆的情況下,用戶正在運(yùn)行的UPS電源內(nèi)置防雷器卻壞了,但是UPS卻仍在正常工作著。
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流,也具有足夠的冷卻能...
? 鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC 國(guó)家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓,常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可...
整流橋炸機(jī)元兇追蹤:4類典型失效模式的解剖與防護(hù)設(shè)計(jì)|MDD
在電力電子系統(tǒng)中,MDD整流橋作為整流電路的核心組件,其可靠性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,整流橋的失效(俗稱“炸機(jī)”)現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生...
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