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漏極

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漏極技術(shù)

MAX7321 I2C端口擴(kuò)展器,具有8路漏極開(kāi)路I/O技術(shù)手冊(cè)

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MAX7321 2線串行接口外設(shè)具有8個(gè)漏極開(kāi)路I/O口,可選擇內(nèi)部上拉和瞬態(tài)檢測(cè)功能。每個(gè)端口均可以配置成邏輯輸入和漏極開(kāi)路輸出端口。端口具有+6V過(guò)...

2025-05-23 標(biāo)簽:漏極擴(kuò)展器端口擴(kuò)展器 177 0

MAX7327 I2C端口擴(kuò)展器,提供12路推挽式輸出和4路漏極開(kāi)路I/O技術(shù)手冊(cè)

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MAX7327 2線串行接口外設(shè),該器件具有12路推挽輸出,以及4路可配置的開(kāi)漏I/O端口,帶有可選擇的內(nèi)部上拉和中斷檢測(cè)功能。所有端口均過(guò)壓保護(hù)至+6...

2025-05-22 標(biāo)簽:串行接口漏極推挽 156 0

開(kāi)關(guān)管三個(gè)引腳和功能

開(kāi)關(guān)管通常具有三個(gè)引腳,分別為G(Gate,門極)、D(Drain,漏極)和S(Source,源極)。這三個(gè)引腳在開(kāi)關(guān)管中扮演著不同的角色,共同決定了開(kāi)...

2024-10-25 標(biāo)簽:源極漏極引腳 5070 0

P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的電流方向是什么

P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱P-FET)的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個(gè)基本特性,它決定了...

2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管漏極 2224 0

ldo功率管工作在什么區(qū)

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2024-07-14 標(biāo)簽:ldo電源管理器漏極 2803 0

場(chǎng)效應(yīng)管在線路板上如何測(cè)量好壞

場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。在實(shí)際應(yīng)用中,我們經(jīng)常需要對(duì)場(chǎng)效...

2024-07-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管線路板漏極 1632 0

mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別

漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡(jiǎn)稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2950 0

美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET

美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...

2023-10-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極 1590 0

MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用

MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成:柵極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)。其中,柵極和漏極都是金屬電極,源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。

2023-09-28 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體MOS管 7327 0

漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

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開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí),線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能(電流能量)。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí),就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)...

2023-06-29 標(biāo)簽:MOSFET源極漏極 1294 0

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路

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MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。

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MOS管的通斷過(guò)程你都理解透了嗎?

對(duì)于恒定Vds,Vgs越大,則溝道中可移動(dòng)的電子越多,溝道電阻就越小,ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值,電壓再大,ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...

2023-03-25 標(biāo)簽:電阻MOS管漏極 5480 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

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2023-02-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.5萬(wàn) 0

MOSFET的源極主要作用

在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn),它是連接到源極-漏...

2023-02-21 標(biāo)簽:MOSFET源極漏極 3297 0

場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極圖解_場(chǎng)效應(yīng)管壞了會(huì)有什么現(xiàn)象

場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極相當(dāng)于三級(jí)管的三個(gè)電極,G是控制極,相當(dāng)于三級(jí)管的B極,電壓控制DS的導(dǎo)通率(三極管是電流控制型,B極控制CE的導(dǎo)通能力)D級(jí)是漏極,相...

2023-02-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電極漏極 1.1萬(wàn) 0

電池充電器的反向電壓保護(hù)準(zhǔn)則

在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。

2021-06-26 標(biāo)簽:MOSFET漏極反向電池 3472 0

漏極和源極如何區(qū)分

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在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)(用P+表示),就形成兩個(gè)不對(duì)稱的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起,引出一個(gè)電極,稱為柵極(g),...

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場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用?

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三極管工作時(shí),兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷,當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),三極管處于飽和狀態(tài),如果這時(shí)三極管截至,pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài),這個(gè)過(guò)程需要...

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一種獨(dú)特的柵極脈沖電路,并進(jìn)行了HPA快速開(kāi)/關(guān)評(píng)估

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本文將提出一種獨(dú)特但簡(jiǎn)單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路,為快速開(kāi)關(guān)HPA提供了另一種方法,同時(shí)消除了與漏極開(kāi)關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns,相對(duì)于 1 ...

2018-02-03 標(biāo)簽:柵極脈沖電路漏極 5181 0

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      adb的全稱為Android Debug Bridge,就是起到調(diào)試橋的作用。通過(guò)adb我們可以在Eclipse中方便通過(guò)DDMS來(lái)調(diào)試Android程序,說(shuō)白了就是debug工具。
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