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標(biāo)簽 > 漏極
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MAX7321 I2C端口擴(kuò)展器,具有8路漏極開(kāi)路I/O技術(shù)手冊(cè)
MAX7321 2線串行接口外設(shè)具有8個(gè)漏極開(kāi)路I/O口,可選擇內(nèi)部上拉和瞬態(tài)檢測(cè)功能。每個(gè)端口均可以配置成邏輯輸入和漏極開(kāi)路輸出端口。端口具有+6V過(guò)...
2025-05-23 標(biāo)簽:漏極擴(kuò)展器端口擴(kuò)展器 177 0
MAX7327 I2C端口擴(kuò)展器,提供12路推挽式輸出和4路漏極開(kāi)路I/O技術(shù)手冊(cè)
MAX7327 2線串行接口外設(shè),該器件具有12路推挽輸出,以及4路可配置的開(kāi)漏I/O端口,帶有可選擇的內(nèi)部上拉和中斷檢測(cè)功能。所有端口均過(guò)壓保護(hù)至+6...
開(kāi)關(guān)管通常具有三個(gè)引腳,分別為G(Gate,門極)、D(Drain,漏極)和S(Source,源極)。這三個(gè)引腳在開(kāi)關(guān)管中扮演著不同的角色,共同決定了開(kāi)...
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱P-FET)的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個(gè)基本特性,它決定了...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管漏極 2224 0
線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種廣泛使用的電源管理器件,其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過(guò)調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...
場(chǎng)效應(yīng)管在線路板上如何測(cè)量好壞
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。在實(shí)際應(yīng)用中,我們經(jīng)常需要對(duì)場(chǎng)效...
2024-07-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管線路板漏極 1632 0
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡(jiǎn)稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2950 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極 1590 0
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用
MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成:柵極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)。其中,柵極和漏極都是金屬電極,源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí),線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能(電流能量)。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí),就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管漏極 2032 0
對(duì)于恒定Vds,Vgs越大,則溝道中可移動(dòng)的電子越多,溝道電阻就越小,ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值,電壓再大,ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...
MOS管有三個(gè)引腳,分別是,柵極G、源極S、漏極D,這三個(gè)腳,用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳,通過(guò)改變引腳的電平,我們可以直接控制這個(gè)MO...
2023-02-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.5萬(wàn) 0
在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn),它是連接到源極-漏...
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極圖解_場(chǎng)效應(yīng)管壞了會(huì)有什么現(xiàn)象
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極相當(dāng)于三級(jí)管的三個(gè)電極,G是控制極,相當(dāng)于三級(jí)管的B極,電壓控制DS的導(dǎo)通率(三極管是電流控制型,B極控制CE的導(dǎo)通能力)D級(jí)是漏極,相...
2023-02-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電極漏極 1.1萬(wàn) 0
在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。
在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)(用P+表示),就形成兩個(gè)不對(duì)稱的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起,引出一個(gè)電極,稱為柵極(g),...
場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用?
三極管工作時(shí),兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷,當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),三極管處于飽和狀態(tài),如果這時(shí)三極管截至,pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài),這個(gè)過(guò)程需要...
2019-06-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管源極漏極 2.3萬(wàn) 0
一種獨(dú)特的柵極脈沖電路,并進(jìn)行了HPA快速開(kāi)/關(guān)評(píng)估
本文將提出一種獨(dú)特但簡(jiǎn)單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路,為快速開(kāi)關(guān)HPA提供了另一種方法,同時(shí)消除了與漏極開(kāi)關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns,相對(duì)于 1 ...
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