PN結(jié)對IGBT器件的重要性

IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié)，在正向?qū)〞r(shí)，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng)）。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1162 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（2）

IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTBJT漏電流 1097 0

這篇讓你快速搞懂IGBT的靜態(tài)特性

IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。

2023-11-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT靜態(tài)特性 3780 0

PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2492 0

如何計(jì)算安規(guī)電容漏電流？

如何計(jì)算安規(guī)電容漏電流？

2023-12-15 標(biāo)簽：安規(guī)電容漏電流 1946 0

微弱電流測量-GUARD保護(hù)技術(shù)

在pA，fA這些特別小的電流測量下，其實(shí)nA也算，會關(guān)注一個(gè)就漏電流的東西。

2023-11-18 標(biāo)簽：pcb電流測量漏電流 3279 1

半導(dǎo)體激光器泄漏電流產(chǎn)生的原因

因?yàn)樾矢摺Ⅲw積小、壽命長、便于單片集成等優(yōu)點(diǎn)，使得半導(dǎo)體激光器在激光通信、光存儲、激光打印、激光測距，以及激光雷達(dá)等方面得到了廣泛的應(yīng)用。

2023-11-17 標(biāo)簽：激光器激光測距半導(dǎo)體激光器 1369 0

合科泰推出一款采用MB-F封裝的橋堆MB10F

橋堆作為一種非常常見的整流器件，它通常由兩個(gè)或四個(gè)二極管組成。

2023-11-17 標(biāo)簽：二極管驅(qū)動器適配器 1126 0

關(guān)于TVS漏電流的問題分析

　對于一些面板上的撥碼開關(guān)等電路，為了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過大，以致上拉電阻上的壓降過大，從而造成高電平...

2023-11-16 標(biāo)簽：CMOSTVSTVS管 2406 0

運(yùn)放穩(wěn)定性，你真的懂了嗎？

一個(gè)運(yùn)放，使用電阻接成負(fù)反饋的形式，閉環(huán)放大倍數(shù)為-1。進(jìn)行環(huán)路stb仿真，有些corner下相位曲線從0開始，但其他corner正常。這種是什么原因？...

2023-11-07 標(biāo)簽：仿真器STBCMOS工藝 2607 0

教你如何用萬用表測量開關(guān)電源的泄漏電流？

漏電流測試是開關(guān)電源安規(guī)測試項(xiàng)目之一，目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標(biāo)準(zhǔn)，防止漏電流過大造成設(shè)備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。

2023-11-07 標(biāo)簽：萬用表半導(dǎo)體開關(guān)電源 2335 0

電機(jī)絕緣測試一原理及影響因素

旋轉(zhuǎn)電機(jī)的絕緣電阻是與使用絕緣材料的條件與類型，以及如何使用這些材料的工藝技術(shù)相關(guān)的。一般來講，絕緣電阻與絕緣厚度成正比，與導(dǎo)體表面面積成反比。

2023-11-01 標(biāo)簽：絕緣電阻額定電壓加熱器 3250 0

芯片外圍電路如何比較兩個(gè)不同阻值的大小呢?

在一些芯片外圍電路中有時(shí)需要引腳接不同的阻值以對應(yīng)不同的功能或狀態(tài)，這往往需要比較電阻阻值的大小，類似于電壓比較器

2023-10-29 標(biāo)簽：三極管NMOS電壓比較器 1835 0

提高SiC功率模塊的功率循環(huán)能力

在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。...

2023-10-23 標(biāo)簽：機(jī)械SiC功率模塊 1401 0

實(shí)際電感與電容元件

理想電感（自感）的定義是當(dāng)線圈所通電流產(chǎn)生的穿過線圈本身的磁鏈與該電流的比值。理想電感線圈是儲能元件：將電能轉(zhuǎn)化成磁場能量存儲起來。

2023-10-23 標(biāo)簽：電容器串聯(lián)電阻漏電流 1879 0

光伏逆變器漏電流檢測RCMU與EMC問題的探討

在現(xiàn)如今的電子類產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，由于相關(guān)認(rèn)證法規(guī)的強(qiáng)制要求，對產(chǎn)品和人身安全認(rèn)知的加強(qiáng)，產(chǎn)品的EMC等級要求變的十分苛刻。

2023-10-20 標(biāo)簽：電磁兼容emc電磁波 4600 0

儲能微網(wǎng)應(yīng)用SCR選型設(shè)計(jì)（2）

SCR只有開通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，具有開關(guān)特性。這種特性需要一定條件才能轉(zhuǎn)換。SCR導(dǎo)通后門極失去控制作用，所以被稱為半控器件。

2023-10-17 標(biāo)簽：晶閘管SCR鎖存器 1681 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動汽車功率器件SiC 1224 0