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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開(kāi)后,D到S才會(huì)有電流流過(guò)。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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電解質(zhì)是液體、膠凍狀富含離子的物質(zhì),大多數(shù)電解電容都是有極性的,也就是在工作時(shí),電容的正極的電壓需要始終比負(fù)極電壓高。
2022-12-05 標(biāo)簽:電容電解電容串聯(lián)電感 2767 0
開(kāi)關(guān)二極管的原理是什么?有哪些參數(shù)?
開(kāi)關(guān)二極管是一種常用的半導(dǎo)體器件,其原理是利用PN結(jié)的導(dǎo)電特性來(lái)控制電流的流動(dòng)。
2024-02-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)二極管漏電流 2749 0
醫(yī)療設(shè)備在安全方面的絕緣設(shè)計(jì)
根據(jù)聲音設(shè)計(jì)實(shí)踐,光耦為醫(yī)療設(shè)備提供有效絕緣,保護(hù)病人遠(yuǎn)離潛在的漏電流危險(xiǎn)。
2014-07-24 標(biāo)簽:醫(yī)療設(shè)備EMC漏電流 2683 0
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對(duì)擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2680 0
SOC(System on Chip,芯片上的系統(tǒng))芯片的測(cè)試是一個(gè)復(fù)雜且全面的過(guò)程,涉及多個(gè)參數(shù)和模塊。以下是對(duì)SOC芯片測(cè)試的主要參數(shù)和模塊的歸納:...
教你如何用萬(wàn)用表測(cè)量開(kāi)關(guān)電源的泄漏電流?
漏電流測(cè)試是開(kāi)關(guān)電源安規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一,目的是為了檢測(cè)漏電流是否超過(guò)了額定標(biāo)準(zhǔn),防止漏電流過(guò)大造成設(shè)備損毀,甚至引發(fā)電擊安全事故。
2023-11-07 標(biāo)簽:萬(wàn)用表半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 2535 0
對(duì)于一些面板上的撥碼開(kāi)關(guān)等電路,為了增加抗ESD能力,通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過(guò)大,以致上拉電阻上的壓降過(guò)大,從而造成高電平...
精細(xì)之至,方顯英雄本色——保證源表測(cè)量精度的小秘籍
精準(zhǔn)的測(cè)試,幾乎是所有工程師測(cè)試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事,特別是小信號(hào)的測(cè)量。例如,半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等,需要測(cè)量精確伏...
簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源兩類漏電流的區(qū)別
引言:在日常工作中,硬件設(shè)計(jì)工程師朋友們經(jīng)常會(huì)接觸到漏電流這個(gè)指標(biāo),其分為泄漏電流和耐壓漏電流。本文將簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源兩類漏電流的區(qū)別,并簡(jiǎn)要分析了常見(jiàn)漏電...
2024-08-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源漏電流泄漏電流 2427 0
淺析運(yùn)算放大器進(jìn)入鉗位狀態(tài)的原理(以LM358為例)
運(yùn)算放大器(簡(jiǎn)稱“運(yùn)放”)是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實(shí)際電路中,通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。
2024-04-04 標(biāo)簽:三極管運(yùn)算放大器晶體管 2405 0
電容器漏電流測(cè)試是評(píng)估電容器性能的重要手段之一,它可以幫助我們了解電容器在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和安全性。 1. 電容器漏電流測(cè)試的目的 電容器在電路中起著...
UPS輔助電源優(yōu)選FHA3N150A場(chǎng)效應(yīng)管,產(chǎn)品雖小但作用核心!
在UPS的構(gòu)造中,直接將交流380V輸入轉(zhuǎn)換為低壓直流電源的部分通常稱為"輔助電源"或"控制電源"。
2024-04-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管直流電源漏電流 2320 0
2023年是演藝表演恢復(fù)增長(zhǎng)的重要一年,僅上半年全球范圍的演唱會(huì)數(shù)量同比增長(zhǎng)30%。這意味著將帶動(dòng)上下游的產(chǎn)業(yè),其中舞臺(tái)音響功放就是一個(gè)核心的增長(zhǎng)極。對(duì)...
變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點(diǎn)
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);
2024-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變?nèi)荻O管可變電容器 2233 0
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見(jiàn)的分立器件,它具有開(kāi)關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
電力二極管的定義 電力二極管動(dòng)態(tài)過(guò)程的波形介紹
電力二極管(Power Diode)在20世紀(jì)50年代初期就獲得應(yīng)用,當(dāng)時(shí)也被稱為半導(dǎo)體整流器;
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
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