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標(biāo)簽 > 電力晶體管
電力晶體管按英文Giant Transistor——GTR,是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有時(shí)也稱為Power BJT;但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,驅(qū)動(dòng)功率大;GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。
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電力晶體管的產(chǎn)品特點(diǎn) 電力晶體管的驅(qū)動(dòng)保護(hù)
電力晶體管(Giant Transistor——GTR),是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor...
2024-03-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路諧波電流直流電壓 2062 0
電力晶體管(Giant Transistor—GTR),是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—...
2024-03-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路BJTGTR 7876 0
IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件,IGBT的驅(qū)...
2023-05-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT變流器 7089 0
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器IGBT 2361 0
由于電力晶體管既具備晶體管飽和壓降低、開關(guān)時(shí)間短和安全工作區(qū)寬等固有特性,又增大了功率容量; 因此由它所組成的電路靈活、成熟、開關(guān)損耗小、開關(guān)時(shí)間短,在...
電力晶體管器件屬于功率半導(dǎo)體類別,如高壓二極管、瞬變二極管、二極管整流橋、MOSFET、IGBT等,多年來市場(chǎng)需求、產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)健。雖然會(huì)受到行業(yè)周期、中...
由于GTR存在二次擊穿等問題,由于二次擊穿很快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于快速熔斷器的熔斷時(shí)間,因此諸如快速熔斷器之類的過電流保護(hù)方法對(duì)GTR類設(shè)備來說是無用的。
開通時(shí)的關(guān)鍵因素是di/dt,常采用串聯(lián)電感的方法進(jìn)行緩沖。因此,不會(huì)出現(xiàn)集電極電壓與集電極電流同時(shí)為最大的情況,因而不會(huì)出現(xiàn)最大瞬時(shí)尖峰功耗。書上圖2...
目前作為大功率的開關(guān)應(yīng)用還是電力晶體管模塊,它是將電力晶體管管芯及為了改善性能的1個(gè)元件組裝成1個(gè)單元,然后根據(jù)不同的用途將幾個(gè)單元電路構(gòu)成模塊,集成在...
電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導(dǎo)體,2個(gè)PN結(jié)的三端器件,有PNP和NPN這2種類型,但GTR多采用NPN型。...
電力晶體管是一種雙極型大功率高反壓晶體管,由于其功率非常大,所以,它又被稱作為巨型晶體管,簡(jiǎn)稱GTR。GTR是由三層半導(dǎo)體材料兩個(gè)PN結(jié)組成的,三層半導(dǎo)...
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