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標(biāo)簽 > 電存儲(chǔ)器

電存儲(chǔ)器

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  鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來。

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電存儲(chǔ)器簡介

  FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場時(shí),晶體中心原子在電場的作用下運(yùn)動(dòng),并達(dá)到一種穩(wěn)定狀態(tài);當(dāng)電場從晶體移走后,中心原子會(huì)保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個(gè)高能階,中心原子在沒有獲得外部能量時(shí)不能越過高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置,因此FRAM保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新。

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電存儲(chǔ)器資訊

一種新型存儲(chǔ)器件—磁電存儲(chǔ)器

一種新型存儲(chǔ)器件—磁電存儲(chǔ)器

摘要:磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小,而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身,因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電

2006-03-24 標(biāo)簽:電存儲(chǔ)器 1985 0

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電存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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