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標(biāo)簽 > 電荷
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關(guān)于氨基酸與目標(biāo)材料之間相互作用機(jī)理的認(rèn)識(shí)
近十年來,固體結(jié)合肽(SBP)具有生物相容性,可有效工程化以識(shí)別和圖案化多種界面,因而備受關(guān)注。其應(yīng)用領(lǐng)域包括納米材料合成、生物分子錨定、醫(yī)療植入物研制...
2020-07-01 標(biāo)簽:電荷原子動(dòng)力學(xué) 3220 0
只有圖1b和圖1c所示的主動(dòng)均衡方法可以讓電荷在整個(gè)電池包中重新分配,補(bǔ)償電池單元間不匹配所造成的容量損失。
將商業(yè)化鋰離子電池中的液態(tài)電解質(zhì)替換什么解質(zhì)?
將商業(yè)化鋰離子電池中的液態(tài)電解質(zhì)替換為固態(tài)電解質(zhì),并搭配鋰金屬負(fù)極組成全固態(tài)鋰離子電池系統(tǒng),有望從根本上解決鋰離子電池系統(tǒng)的安全性問題并大幅提高能量密度...
來自武漢大學(xué)力學(xué)系的劉澤教授、高恩來副研究員與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的鄧惠雄研究員合作研究發(fā)現(xiàn),具有高度各項(xiàng)異性結(jié)構(gòu)的磷烯表現(xiàn)出優(yōu)異的電致驅(qū)動(dòng)性能。向磷...
2020-06-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電荷 2473 0
關(guān)于電容器裝電的本領(lǐng)——靜電容量的大小可以通過公式C=Q/U進(jìn)行測(cè)算,當(dāng)然現(xiàn)在有很多專用的儀器可以直接測(cè)試出來了。
關(guān)于半導(dǎo)體中的撓曲電性能逐漸受到研究者的關(guān)注
研究人員通過實(shí)驗(yàn)表明,在室溫暗場(chǎng)7Hz測(cè)試條件下,有機(jī)無機(jī)雜化的鹵化物鈣鈦礦光伏半導(dǎo)體單晶材料(MAPbBr3和MAPbCl3)的撓曲電系數(shù)分別為24μ...
但是,有一些電磁波可能是非常危險(xiǎn)的。波長(zhǎng)極短的輻射,例如紫外線、X 射線和伽馬射線,強(qiáng)到能將電子從原子中剝離出來,這會(huì)導(dǎo)致燒傷和基因損傷。這才是很多人聽...
據(jù)外媒New Atlas報(bào)道,珊瑚礁等一些自然有機(jī)體具有驚人的適應(yīng)能力,能夠適應(yīng)不同程度的壓力,在需要時(shí)利用附近的礦物質(zhì)進(jìn)行結(jié)構(gòu)加固。
現(xiàn)代脈沖電路中大量使用晶體管或二極管作為開關(guān), 或者使用主要是由它們構(gòu)成的邏輯集成電路。而作為開關(guān)應(yīng)用的二極管主要是利用了它的通(電阻很?。啵娮韬?..
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
MOSFET是對(duì)稱的,只有柵極是確定的,哪一端是源級(jí),哪一端是漏極只有加載了電壓才能確定。對(duì)于NMOS來說,它靠電子導(dǎo)電,電子的“源泉”定義為源級(jí)。所以...
三種CCD圖像傳感器類型的特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn)
本文介紹了三種CCD(電荷耦合器件)圖像傳感器體系結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。任何CCD圖像傳感器的兩個(gè)最基本的元素是光敏區(qū)域(例如固定光電二極管)和電荷傳...
《漲知識(shí)啦4-金屬半導(dǎo)體接觸系列》---鏡像力 根據(jù)上一講中肖特基結(jié)形成原理的介紹,我們可知金屬一側(cè)的勢(shì)壘高度由金屬與半導(dǎo)體材料決定,不隨外加偏壓的變化...
鎧俠研發(fā)新儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu),采用浮柵電荷存儲(chǔ)層實(shí)現(xiàn)高集成化
近日,鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲(chǔ)...
對(duì)電荷傳輸?shù)男抡J(rèn)識(shí),一種奇異的量子力學(xué)機(jī)制
電荷傳輸是指電子流經(jīng)固體材料的傳輸過程的定量描述。電荷傳輸這一過程不是我們通常所想象的毫無阻礙地流動(dòng),而是會(huì)通過構(gòu)成材料晶格的原子的熱振動(dòng)而被碰撞。
而像上述型號(hào)的陶瓷電容,它的額定最高工作電壓為16V,如果再高,它離損壞也就不遠(yuǎn)了。很顯然,通過增加介質(zhì)的厚度可以降低其內(nèi)部電場(chǎng),但是其成本也提高了,同...
以平面耗盡型N溝道MOSFET為例,基本結(jié)構(gòu)如下圖所示??梢钥吹?,從左到右為NPN的摻雜,在擴(kuò)散作用下,會(huì)自然形成像圖中所示的深紅色的耗盡區(qū)(deple...
回顧關(guān)于MOS-AK北京器件模型會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告分析和發(fā)展介紹
半導(dǎo)體所的文章,首先回顧第一性原理(密度泛函理論)來計(jì)算納米電子,通過對(duì)二維(2D)材料為基礎(chǔ)的亞10nm晶體管的性能極限仿真來做實(shí)驗(yàn),然而,對(duì)于現(xiàn)實(shí)晶...
清華大學(xué)首次提出一種通過自由電荷極性翻轉(zhuǎn)提升電極等效電荷面密度的電源管理方法,進(jìn)而突破了長(zhǎng)期以來摩擦納米發(fā)電機(jī)單周期內(nèi)最大輸出的限制。
2019-07-23 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)發(fā)電機(jī)電荷 4433 0
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