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標(biāo)簽 > 相變內(nèi)存
相變內(nèi)存的英文是“Phase-Change Memory”,簡稱“PCM”,是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品。
相變內(nèi)存是下一代內(nèi)存(閃存)技術(shù),相變內(nèi)存結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速存取,以及閃存在關(guān)閉電源之后保留數(shù)據(jù)的特性,被業(yè)界視為未來閃存和內(nèi)存的替代品。
新研究成果相變內(nèi)存 比傳統(tǒng)DRAM快1000倍
下一代內(nèi)存的讀取速度會(huì)比現(xiàn)在快多少?來自美國斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為,相變內(nèi)存(Phase-Change Memory,PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存...
2016-08-18 標(biāo)簽:相變內(nèi)存 1.3k 0
2013年存儲(chǔ)行業(yè)預(yù)測Top10:大數(shù)據(jù)席卷而來,下一個(gè)大事?
12月19消息,據(jù)InfoStor雜志對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)專家進(jìn)行的調(diào)查,大數(shù)據(jù)席卷而來,專家對(duì)此提出了2013年存儲(chǔ)行業(yè)的10大預(yù)測。下一個(gè)大事是什么?
2012-12-19 標(biāo)簽:云計(jì)算云存儲(chǔ)大數(shù)據(jù) 2k 0
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