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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次觀測(cè)到引力子激發(fā)現(xiàn)象
該科研成果已于北京時(shí)間2024年3月28日以“證據(jù)表明分?jǐn)?shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯?!睘轭}在國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊Nature上公開(kāi)發(fā)表。全球的引力子研究一...
2024-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)砷化鎵 897 0
瑞典新興公司宣布針對(duì)太陽(yáng)能的納米線突破技術(shù)
瑞典隆德4月22日,在一項(xiàng)針對(duì)太陽(yáng)能的重大突破技術(shù)上,瑞典的先進(jìn)材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線技術(shù)在薄膜上取得了校準(zhǔn)和定...
北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 (電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì))于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行,暌違三年有...
上海光機(jī)所在強(qiáng)場(chǎng)太赫茲對(duì)砷化鎵偶次諧波調(diào)控研究方面取得新進(jìn)展
圖1. 強(qiáng)場(chǎng)太赫茲波的產(chǎn)生及物質(zhì)調(diào)控信號(hào)測(cè)量裝置 (a)實(shí)驗(yàn)光路;(b)泵浦光光譜;(c)太赫茲頻譜。 近期,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所強(qiáng)場(chǎng)激光物...
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