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標(biāo)簽 > 硅工藝
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ADRF5715硅數(shù)字衰減器,1位,1MHz至30GHz技術(shù)手冊
ADRF5715 是一款 1 位數(shù)字硅工藝衰減器,衰減率為 16 dB。 ADRF5715 的工作頻率范圍為 1 MHz 至 30 GHz,具有優(yōu)...
HMC1122 0.1GHz至6.0 GHz、0.5 dB LSB、6位硅數(shù)字衰減器技術(shù)手冊
HMC1122是一款6位數(shù)字衰減器,工作頻率范圍為0.1 GHz至6 GHz,以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC1122...
2025-04-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器衰減器硅工藝 94 0
HMC1119 0.25dB LSB、7位硅數(shù)字衰減器,0.1GHz至6.0GHz技術(shù)手冊
HMC1119是一款寬帶、高精度、7位數(shù)字衰減器,工作頻率范圍為0.1 GHz至6.0 GHz,以0.25 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。 ...
HMC8073 0.6GHz到3.0GHz、0.5 dB LSB、6位硅數(shù)字步進(jìn)衰減器技術(shù)手冊
HMC8073 是一款 6 位數(shù)字步進(jìn)衰減器 (DSA),工作頻率范圍為 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰減范圍為 31.5 dB,步進(jìn)為 0.5...
ADRF5473硅數(shù)字衰減器,0.5dB LSB,6位,100MHz至40GHz技術(shù)手冊
ADRF5473是一款具有31.5 dB衰減范圍和0.5 dB步長的6位數(shù)字衰減器,采用連接在砷化鎵(GaAs)載波襯底上的硅工藝制造。該襯底集成了芯片...
ADRF5474硅數(shù)字衰減器,2dB LSB,4位,10MHz至60GHz技術(shù)手冊
ADRF5474是一款具有22 dB衰減控制范圍和2 dB步長的4位數(shù)字衰減器,采用連接在砷化鎵(GaAs)載波襯底上的硅工藝制造。該襯底集成了芯片和引...
ADRF5714硅數(shù)字衰減器,1位,100MHz至30GHz技術(shù)手冊
ADRF5714 是一款 1 位硅工藝數(shù)字衰減器,具有 16 dB 衰減率,并且支持無干擾操作。 該套件的工作頻率范圍為 100 MHz 至 30...
ADRF5250 0.1GHz至6GHz硅SP5T開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5250是一款通用型單刀五擲(SP5T)、非反射式開關(guān),采用硅工藝制造。ADRF5250采用4 mm × 4 mm、24引腳引線框芯片級封裝(L...
ADRF5144 1GHz至20GHz 10W平均值硅SPDT反射開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5144 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。 ADRF5144 的工作頻率范圍為 1 GHz 至 20 GHz,具...
2025-03-05 標(biāo)簽:SPDTSPDT開關(guān)硅工藝 245 0
國內(nèi)首款單片集成相控陣T/R芯片誕生_功能/優(yōu)勢搶先看
該款產(chǎn)品集中運(yùn)用了多項(xiàng)領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),滿足了相控陣?yán)走_(dá)天線系統(tǒng)小型化和低成本的多項(xiàng)要求,向相控陣T/R組件的單芯片化實(shí)現(xiàn)跨出了里程碑的一步。
格芯成為 7nm LP 工藝開發(fā)的逃兵,專注于14/12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)
縮減硅工藝的可怕競爭,最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德(GlobalFoundries)今日宣布,它將無限期地暫停 7nm LP 工藝的開發(fā),以便將資...
近年來,芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”,并有條不紊地進(jìn)行著,直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功,業(yè)界開始有了擔(dān)憂。
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