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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板

新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電...

2025-03-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 評(píng)估板 272 0

碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，碳化硅（SiC）器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能，使其...

2025-03-19 標(biāo)簽：SiC 能源碳化硅 471 0

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能...

2025-03-19 標(biāo)簽：MOSFET 安森美功率模塊 416 0

只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆

采用碳化硅（SiC）功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）之所以被稱為“印鈔機(jī)”，是因?yàn)槠湓谛省⒊杀?、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破，顯著提升了...

2025-03-17 標(biāo)簽：SiC 功率模塊變流器 241 0

SiC全橋碳化硅模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池PACK充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì) BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...

2025-03-17 標(biāo)簽：DC-DC SiC 碳化硅 182 0

只能靠版圖微調(diào)與營(yíng)銷話術(shù)的國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司被掃入歷史塵埃

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司當(dāng)前面臨的困境，本質(zhì)上是技術(shù)路徑依賴與底層工藝能力缺失的必然結(jié)果。其“無言之痛”不僅體現(xiàn)在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的喪失，更折射出中國(guó)半...

2025-03-16 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 193 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 FP35R12N2T7_...

2025-03-16 標(biāo)簽：SiC pim 碳化硅 266 0

為何國(guó)產(chǎn)650V碳化硅MOSFET成為超結(jié)MOSFET的噩夢(mèng)

國(guó)產(chǎn)650V碳化硅（SiC）MOSFET之所以成為超結(jié)（Super Junction, SJ）MOSFET的“噩夢(mèng)”，主要源于其在性能、成本、應(yīng)用場(chǎng)景及...

2025-03-13 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 111 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...

2025-03-13 標(biāo)簽：氮化鎵 AC-DC 碳化硅 1000 0

碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技...

2025-03-13 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 454 0

全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)...

2025-03-13 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅 147 0

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其...

2025-03-12 標(biāo)簽：碳化硅 525 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析一、效率提升：高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性低導(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì) BMF240R...

2025-03-11 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能 PCS 235 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場(chǎng)調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段，其亂象的陣痛期預(yù)計(jì)將持續(xù)3年左右，行業(yè)出清需到2028年前后完成。

2025-04-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 135 0

中國(guó)制造2025：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果，通過政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振，實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...

2025-03-09 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 681 0

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅（SiC）器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的元年，在于國(guó)產(chǎn)SiC（碳化硅）單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 485 0

東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備...

2025-03-06 標(biāo)簽：MOSFET 光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1167 0

博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日，博世汽車電子中國(guó)區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模...

2025-03-06 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅博世 515 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案一、飛跨電容三電平技術(shù)的專利歸屬與特色 1. 專利歸屬：中國(guó)企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...

2025-03-06 標(biāo)簽：功率器件碳化硅飛跨電容 302 0

CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程，以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示，可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：? 一、從壟斷到突破：中國(guó)碳化硅材...

2025-03-05 標(biāo)簽：Cree 碳化硅 319 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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