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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

國芯思辰 |1200V的碳化硅肖特基二極管B2D60120H1可用于光伏MPPT

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-04-23 標簽：二極管碳化硅國芯思辰 770 0

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計和制造

來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲...

2023-04-07 標簽：芯片碳化硅 3117 0

深度洞察 | 碳化硅如何革新電氣化趨勢

文章來源：PowerElectronicsNews在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但1891年碳化硅(Si...

2023-04-06 標簽：碳化硅電氣化 815 0

是時候從Si切換到SiC了嗎？

作者簡介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化...

2023-03-31 標簽：SiC 碳化硅 688 0

光隔離探頭助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題

作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計好芯片，還要親自設(shè)計和驗證很多應(yīng)用方案供下游客...

2023-03-13 標簽：電源設(shè)計氮化鎵 GaN 1350 0

國芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便攜儲能，效率提升0.2%-0.4%

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-03-02 標簽：儲能器件碳化硅 955 0

國芯思辰|國產(chǎn)碳化硅可替代科銳C2M0160120D應(yīng)用服務(wù)器電源中

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-01-29 標簽：電源服務(wù)器碳化硅 879 0

貞光科技：一文解讀車規(guī)級碳化硅

貞光科技深耕汽車電子、工業(yè)及軌道交通領(lǐng)域十余年，為客戶提供車規(guī)MCU、車規(guī)電容、車規(guī)電阻、車規(guī)晶振、車規(guī)電感、車規(guī)連接器等車規(guī)級產(chǎn)品和汽車電子行業(yè)解決方...

2023-01-04 標簽：碳化硅 1328 0

學(xué)技術(shù) | 世平安森美碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品的特性與應(yīng)用

一、第三代半導(dǎo)體介紹：首先簡單介紹一下第一、二代半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，第一代半導(dǎo)體是「硅」（Si），第二代半導(dǎo)體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半...

2022-11-21 標簽：SiC 碳化硅 2991 0

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...

2022-01-06 標簽：碳化硅 1306 0

10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)A...

2022-04-11 標簽：碳化硅 591 0

11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPG...

2022-04-14 標簽：碳化硅 732 0

10.1.6 浮空場環(huán)（FFR）終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.6浮空場環(huán)（FFR）終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...

2022-04-07 標簽：碳化硅 1066 0

10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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2022-04-11 標簽：碳化硅 565 0

９.３.１　正向?qū)Ｊ健省短蓟杓夹g(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

９.３.１正向?qū)Ｊ剑?３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP...

2022-03-30 標簽：碳化硅 463 0

９.３.５　di/dt的限制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

９.３.５di/dt的限制９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPG...

2022-03-30 標簽：碳化硅 520 0

6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本...

2021-12-31 標簽：碳化硅 1424 0

10.2.1 垂直漂移區(qū)（SM）JTE∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)...

2022-04-09 標簽：碳化硅 535 0

碳化硅1700v sic mosfet供應(yīng)商

ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureR...

2022-03-04 標簽：碳化硅 SiC MOSFET 1288 0

6.2.1 反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷...

2021-12-31 標簽：碳化硅 1595 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓撲。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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Cirrus LogIC

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柵極驅(qū)動器

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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
超級本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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