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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2531個 瀏覽：50450次 帖子：38個

      碳化硅資訊

      未來市場格局充滿變數(shù) 小規(guī)模碳化硅供應(yīng)鏈難題未解

      中國規(guī)模較小的碳化硅（SiC）供應(yīng)鏈參與者將發(fā)現(xiàn)2023年是其相對艱難的一年。

      2023-02-13 標簽：SiC碳化硅 1781 0

      碳化硅芯片正成為車企爭相綁定的“寵兒

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      2023-02-13 標簽：碳化硅SiC功率元件 1775 0

      淺談碳化硅的應(yīng)用

      碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料，由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導(dǎo)...

      2023-02-12 標簽：電源充電逆變器 1550 0

      碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

      硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...

      2023-02-12 標簽：射頻氮化鎵碳化硅 2604 0

      碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為5G鋪平道路

      許多人可能認為，既然 5G 已經(jīng)開始鋪開，那么4G 技術(shù)也即將退出歷史舞臺。但這絕不是事實，因為仍有計劃為許多使用較老的 3G／4G 技術(shù)的地區(qū)提供 4...

      2023-02-10 標簽：功率放大器碳化硅5G 845 0

      氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何？

      氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何？

      氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領(lǐng)域；硅基氮化...

      2023-02-10 標簽：氮化鎵碳化硅5G基站 4062 0

      碳化硅主要的四大應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng)，不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高的納米級碳化硅粉體的應(yīng)用短時間不...

      2023-02-09 標簽：納米碳化硅jfet器件 5094 0

      英飛凌與Resonac擴大合作范圍，簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議

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      【 2023 年 02 月 09 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）...

      2023-02-09 標簽：英飛凌碳化硅 732 0

      又一SiC功率器件公司獲超億元融資！

      2022年3月，昕感科技完成超億元A輪融資，由藍馳創(chuàng)投領(lǐng)投，博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...

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      碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)與優(yōu)勢

      碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)與優(yōu)勢

      碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。另一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化...

      2023-02-09 標簽：MOSFETSiC碳化硅 3045 1

      2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場需求將劇增？

      這家美國制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆...

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      碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單

      2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及...

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      意法半導(dǎo)體CEO：計劃2023年投資40億美元增加碳化硅產(chǎn)能

      技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smar...

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      什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

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      　硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施...

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      碳化硅半導(dǎo)體與行業(yè)的未來！

      雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關(guān)注。正是在這一點上，它首次用于肖特基二極管...

      2023-02-06 標簽：電動汽車MOSFET半導(dǎo)體 1363 0

      碳化硅與氮化鎵器件的特點差異

      　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

      2023-02-05 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 2074 0

      碳化硅半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢特點

      20世紀50年代以來，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管，導(dǎo)致以集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的窄...

      2023-02-05 標簽：半導(dǎo)體逆變器碳化硅 757 0

      碳化硅與氮化鎵器件的應(yīng)用優(yōu)勢

      　　幾十年來，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出來，具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的財產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開發(fā)了...

      2023-02-05 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 707 0

      碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

      碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法...

      2023-02-03 標簽：SiC碳化硅 5479 0

      碳化硅供需失衡將成為長期現(xiàn)象

      可以看出在SiC襯底方面，ON Semiconductor有GTAT，ST有Norstel，Rohm有SiCrystal，Wolfspeed自己生產(chǎn)Si...

      2023-02-03 標簽：電動汽車英飛凌碳化硅 538 0

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        TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        華星光電
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        Mobileye
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        超級本
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