為什么逆導(dǎo)型IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇呢？

對于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。

2023-08-23 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管CCM 1594 0

功率二極管的基本應(yīng)用

續(xù)流 用做續(xù)流二極管，如圖4（b）所示。當(dāng)開關(guān)S切斷電感電路時(shí)，為防止電感產(chǎn)生很高的反電動(dòng)勢e=L*di/dt，而損壞設(shè)備，接入一個(gè)二極管D，使電感電流...

2023-02-23 標(biāo)簽：電感續(xù)流二極管開關(guān)器件 1583 0

開關(guān)電源BUCK 拓?fù)涞腅MI對策

由于功率管、續(xù)流二極管不斷的打開與關(guān)斷，造成電流不連續(xù)，此變化電流會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓（由 V=L*di/dt 可以推導(dǎo)出，尖峰電壓等于電流回路中的寄生電感乘...

2023-11-29 標(biāo)簽：開關(guān)電源BUCKemi 1576 0

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解

IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù)，防止運(yùn)行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu)，可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂，造成基板的裂紋;第三是對...

2024-04-02 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1532 0

續(xù)流二極管的開關(guān)過程是什么

續(xù)流二極管，也被稱為穩(wěn)流二極管，是一種獨(dú)特的二極管，具有保持電流穩(wěn)定的特性。它可以在特定的電壓范圍內(nèi)自動(dòng)調(diào)整電流的大小，確保輸出電流始終恒定。續(xù)流二極管...

2024-01-12 標(biāo)簽：二極管電壓續(xù)流二極管 1524 0

PEK-830模塊之BOOST電路

該實(shí)驗(yàn)板的硬件組成框圖如下圖所示。其中主要包括：輸入濾波電容、UC3845控制芯片、N-MOSFET功率開關(guān)、續(xù)流二極管、儲(chǔ)能電感、輸出濾波電容。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET電位器PWM控制 1510 0

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。

2025-03-13 標(biāo)簽：二極管IGBT續(xù)流二極管 1431 0

八路達(dá)林頓晶體管的介紹

BULN2803LV 是專為低壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大電流達(dá)林頓管陣列，電路由八個(gè)獨(dú)立的達(dá)林頓管組成，每個(gè)達(dá)林頓管帶有續(xù)流二極管，可用于驅(qū)動(dòng)繼電器、步進(jìn)電機(jī)等感性...

2023-12-12 標(biāo)簽：繼電器晶體管達(dá)林頓管 1353 0

IGBT雙脈沖仿真—柵極電感的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。

2023-07-14 標(biāo)簽：電感器IGBT續(xù)流二極管 1230 0

變頻器的能量轉(zhuǎn)換方式

由變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)，電機(jī)是不能直接從電源側(cè)獲取能量的，變頻器不同于開關(guān)、接觸器，一旦接通，電機(jī)就能從工頻下啟動(dòng)并運(yùn)行，變頻器由整流、濾波、逆變環(huán)節(jié)，它的能...

2023-08-30 標(biāo)簽：變頻器IGBT變頻電機(jī) 1187 0

AC/DC適配器電源芯片U6117S典型功率推薦

在回南天潮濕的天氣里，一款高效除濕的除濕機(jī)可以讓我們的生活更加舒適。而遇上持續(xù)干燥、室內(nèi)濕度低的天氣，就需要一款增加房間濕度的加濕器。

2024-03-07 標(biāo)簽：控制器運(yùn)算放大器適配器 1186 0

IGBT模塊是如何失效的？

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以...

2023-05-30 標(biāo)簽：模塊封裝IGBT 1155 0

buck電路的演變過程

buck電路相信很多從事電子類工作的朋友都聽過，它說白了就是個(gè)直流降壓電路，在降壓芯片出來之前，它的出場率非常高但是以前僅僅是看過他，不懂它是怎樣演變過...

2023-09-25 標(biāo)簽：三極管續(xù)流二極管buck電路 1114 0

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。

2023-07-13 標(biāo)簽：仿真器IGBT續(xù)流二極管 1107 0

柵極鉗位TVS二極管對IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1)，在t=0時(shí)刻，開關(guān)S動(dòng)作，lGBT開始關(guān)斷，柵極通過RG開始放電，VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少，但是由于感性負(fù)...

2023-07-14 標(biāo)簽：二極管電感器TVS二極管 1106 0

談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開關(guān)過程的波形。

2023-07-12 標(biāo)簽：二極管電感器IGBT 940 0

二極管結(jié)面積的影響

階段6(t6—t7)：在t6時(shí)刻，VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài)，柵極反射極電壓增加以維持IL，當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后，穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...

2023-07-12 標(biāo)簽：二極管電感器IGBT 893 0

簡述電源管理IC U93136的工作原理

在手機(jī)和其他的電子產(chǎn)品中，減少能量的浪費(fèi)、將盡量多的可用電能用于實(shí)際需要的地方，是省電的關(guān)鍵。在電源管理中，選取綠色節(jié)能、高效低耗的ic是關(guān)鍵。深圳銀聯(lián)...

2024-07-29 標(biāo)簽：電源管理IC電源系統(tǒng)續(xù)流二極管 768 0

二極管開關(guān)速度對雙脈沖測試條件下IGBT開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。

2023-07-12 標(biāo)簽：電感器IGBT續(xù)流二極管 749 0