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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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次級(jí)繞組輸出二極管D1通常選用肖特基二極管,或超快恢復(fù)二極管,一是因?yàn)檫@兩種二極管反向恢復(fù)時(shí)間trr短,二是因?yàn)檫@兩種二極管正向?qū)▔篤f降小。
2023-06-25 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管 2925 0
PCB布局挑戰(zhàn)——改進(jìn)您的開關(guān)模式電源設(shè)計(jì)
深入研究該項(xiàng)目,我們將檢查L(zhǎng)M22678 5A 轉(zhuǎn)換器(圖 2)的 PCB 布局,其中V輸入為 12 V(未顯示),V輸出為 5 V。這是一個(gè)非同步降壓...
2023-06-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器肖特基二極管PCB 554 0
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的...
如果選擇多個(gè)獨(dú)立的二極管,即便型號(hào)一樣,生產(chǎn)廠家一樣,生產(chǎn)批次一樣,兩個(gè)二極管之間的性能特性,也會(huì)有一定的差異。
2023-06-11 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管肖特基二極管 1818 0
肖特基二極管是一種特殊類型的二極管,其主要特點(diǎn)是具有低電壓降和快速開關(guān)速度。這意味著它可以在高頻率下進(jìn)行快速開關(guān)操作,并且能夠在低電壓下實(shí)現(xiàn)高效電源管理...
盡管距離肖特基二極管初次面世已經(jīng)過去幾十年的時(shí)間了,但是新的技術(shù)發(fā)展與產(chǎn)品更新仍舊不斷的增強(qiáng)著它的特性,擴(kuò)展了它的應(yīng)用可能性?,F(xiàn)在的筆記本電腦,智能手機(jī)...
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)...
碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn),廣泛...
2023-06-04 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體器件碳化硅 3536 0
肖特基二極管是一種具有低正向壓降和快速開關(guān)速度的二極管,它是由金屬與半導(dǎo)體PN結(jié)組成的。與快恢復(fù)二極管不同,肖特基二極管的P型區(qū)是由金屬與半導(dǎo)體PN結(jié)組...
2023-06-04 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管 8849 0
肖特基二極管的工作原理 肖特基二極管和普通二極管的區(qū)別
肖特基二極管,又稱肖特基勢(shì)壘二極管或肖特基障壘二極管,是一種半導(dǎo)體二極管,具有快速開關(guān)和低噪聲特性。它的結(jié)構(gòu)類似于普通的二極管,但是在PN結(jié)上引入了一個(gè)...
U7712同步整流芯片典型輸出5v3A,是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
銀聯(lián)寶同步整流ic U7610的技術(shù)與應(yīng)用
同步整流電源能夠在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的機(jī)架內(nèi),先進(jìn)的同步整流電源的功率是傳統(tǒng)非同步電源功率的兩倍。
2023-05-26 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器肖特基二極管LDO電源 1145 0
有沒有發(fā)現(xiàn),我們每次在DCDC芯片選型時(shí),有些DCDC芯片需要續(xù)流二極管,而有些卻不需要,這是為什么呢?原來這和DCDC芯片的整流方式有關(guān),因?yàn)橛械腄C...
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電...
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?
年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)
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