TPS65300-Q1 具有 3 個 LDO 的汽車級 5.6V 至 40V、1.2A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

TPS65300-Q1 電源是單個開關(guān)模式降壓電源和三個線性穩(wěn)壓器的組合。該器件是一款單片高壓開關(guān)穩(wěn)壓器，具有集成的 1.2A 峰值電流開關(guān)、45V 功...

2025-04-27 標(biāo)簽：電源控制器線性穩(wěn)壓器 248 0

TPSM82480 具有 PG、MODE 和 VSEL 選項的 6A、5.5V 輸入降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊

TPSM82480 是一款同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊，適用于扁平負載點電源。2.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍支持在典型的 3.3 V 或...

2025-04-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器接口 272 0

TPS40055 寬輸入（8V-40V）高達 1MHz 頻率的同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

TPS4005x 是高電壓、寬輸入（8V 至 40V）同步降壓控制器系列。TPS4005x 系列具有各種用戶可編程功能，包括軟啟動、UVLO、工作頻率、...

2025-04-03 標(biāo)簽：可編程降壓控制器高側(cè)電流 399 0

瞬態(tài)分流抑制器（TDS）優(yōu)勢1—低鉗位電壓

湖南靜芯突破浪涌控制（SurgeControl）技術(shù)，推出瞬態(tài)分流抑制器（Transient Diverting Suppressors，簡稱TDS）產(chǎn)...

2025-03-08 標(biāo)簽：二極管抑制器鉗位電壓 706 0

分立器件產(chǎn)品在頸部按摩儀產(chǎn)品上的應(yīng)用案例分享

當(dāng)我們在工作累了的時候，這時候如果有個頸部按摩儀產(chǎn)品給您的頸部按摩，您的疲憊會很快消失。

2024-05-17 標(biāo)簽：二極管單片機整流電路 845 0

面包板小技巧: 使用簡單的LED來替代邏輯探針

LED是一個有價值的故障排除工具，特別是在數(shù)字電路原型設(shè)計時。這篇文章介紹了一種簡單的施工技術(shù)，可以節(jié)省你寶貴的時間。

2024-05-09 標(biāo)簽：微控制器運放電路led燈 1916 0

淺談PCB設(shè)計中鋪銅的必要性

鋪銅可以減少形變，提高PCB制造質(zhì)量 鋪銅可以幫助保證電鍍的均勻性，減少層壓過程中板材的變形，尤其是對于雙面或多層PCB來說，提高PCB的制造質(zhì)量。

2024-04-11 標(biāo)簽：pcb散熱片鋪銅 3130 0

如何看懂MOSFET數(shù)據(jù)表常見的數(shù)據(jù)

Qrr 甚至可以對測試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強的依賴關(guān)系。而進一步使事情復(fù)雜化的原因在于，某些廠商未將QOSS 作為一個單獨參數(shù)包含在...

2024-04-09 標(biāo)簽：MOSFET電感器脈沖電流 957 0

5G基站電源的多款型號代換型號：170N1F4A場效應(yīng)管有效契合電路！

依據(jù)研究機構(gòu)數(shù)據(jù)分析：2019年全球5G基站電源市場規(guī)模約為13億美元，預(yù)計到2025年將達到40億美元，年復(fù)合增長率約為20%。

2024-03-04 標(biāo)簽：場效應(yīng)管RDS脈沖電流 1389 0

如何定義MOSFET數(shù)據(jù)表

作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值之外，我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。

2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFET電感器函數(shù) 560 0

脈沖電源基礎(chǔ)知識概述

脈沖電鍍是一種先進的電鍍技術(shù)，它在傳統(tǒng)直流電鍍的基礎(chǔ)上，利用脈沖電流代替連續(xù)電流，從而在鍍層質(zhì)量、鍍層厚度控制以及節(jié)能降耗等方面具有顯著優(yōu)勢。

2024-02-05 標(biāo)簽：脈沖電源電解液脈沖電流 2451 0

求一種基于simulink的電池（儲能）模型仿真方案

隨著新能源發(fā)電及電動汽車等的快速發(fā)展，儲能的應(yīng)用也越來越廣泛。在進行仿真建模時，如何搭建一個準(zhǔn)確的電池單體模型變得十分重要。

2024-01-22 標(biāo)簽：等效電路Simulink儲能 5.1萬 0

基于電阻平衡的大功率鋰離子電池與超級電容器的直接混合充電優(yōu)化

本研究旨在填補電池與超級電容器直接并聯(lián)充電的研究空白。兩者之間的簡單并聯(lián)將產(chǎn)生不成比例的電流分布，并限制有效的容量利用率。

2023-12-06 標(biāo)簽：鋰離子電池超級電容器等效電路 3.3萬 0

功率MOSFET安全工作區(qū)SOA曲線概念分析

現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢是向著更高開關(guān)頻率和更低導(dǎo)通電阻發(fā)展，因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs

2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET電池充電器SOA 8970 0

1kA脈沖電流發(fā)生器測控電路的設(shè)計案例

脈沖電流是很快的一次性暫態(tài)量，而且電流幅值較大，當(dāng)采集測試時，對測試設(shè)備元器件要求較高。

2023-12-01 標(biāo)簽：發(fā)生器IGBT單片機控制 2269 0

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標(biāo)簽：二極管晶體管擊穿電壓 2641 0