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標(biāo)簽 > 自舉電容
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Buck電路需要控制“上管”打開，此時(shí)上管的S極為輸入電壓Vin，Buck控制器需要得到高出Vin的電壓，通過自舉電路升壓得到，比Vin高的電壓，實(shí)現(xiàn)這...
2022-12-30 標(biāo)簽：開關(guān)電源BUCKbuck電路 1.2萬 0
最近在公司碰到MOS驅(qū)動(dòng)芯片損壞的問題，啃了一些資料后還算搞明白了點(diǎn)東西，來分享一些其中的基本原理吧。
2022-10-31 標(biāo)簽：MOS驅(qū)動(dòng)電路自舉電容 6662 1
上一篇文章《3句話，讓你了解自舉電容的工作原理!》，我們看了異步Buck的自舉電路的環(huán)路組成、Cboot充電回路、浮地驅(qū)動(dòng)、壓差不突變等信息，并且總...
半橋驅(qū)動(dòng)電路工作原理 自舉電容的計(jì)算及注意事項(xiàng)
MOSFET憑開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能，就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...
2022-06-17 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路自舉電容 3.2萬 0
自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無法驅(qū)動(dòng)。
2022-04-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS自舉電容 9668 0
原文來自公眾號：硬件工程師看海 自舉電路字面意思是自己把自己抬起來的電路， 是利用自舉升壓電容的升壓電路，是電子電路中常見的電路之一。 我們經(jīng)常在IC外...
BST與SW引腳之間的自舉電容在每個(gè)周期的開啟過程中提供柵電流給高側(cè)FET器件柵充電，也為自舉電容提供充電。
2020-11-13 標(biāo)簽：PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器 1.5萬 0
Buck 電路自舉電容推導(dǎo)及RTQ6363內(nèi)部電路框圖解析
在實(shí)際的電路中，當(dāng)由 CBOOT 向上橋開關(guān)的輸入電容充電時(shí)，內(nèi)部穩(wěn)壓電路仍然在向 CBOOT 供電，也在向上橋的驅(qū)動(dòng)電路供電。
前級驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的自舉電容
一個(gè)電源正端的一個(gè)電源，那么我們說這里應(yīng)該用P管，對吧?那么如果呢這個(gè)管子放在D端，它的下面直接通D的話，那么這個(gè)時(shí)候我們說應(yīng)該用N管。那么這樣子的話，...
2019-04-17 標(biāo)簽：MOSFET電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 7858 0
電容并聯(lián)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
我們會(huì)將電容并聯(lián)以水閘的形式講解方便大家理解。
2019-05-30 標(biāo)簽：電容并聯(lián)電路自舉電容 5149 0
當(dāng)電感續(xù)流的時(shí)候，前端是0.7V。很明顯如果電感比較小或者這個(gè)電感工作在一個(gè)斷續(xù)模式下，又或者說是DCM模式下，那么電感續(xù)流了一塊之后就不再續(xù)流了，不續(xù)...
2019-05-30 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)電感自舉電容 1.1萬 0
關(guān)于開關(guān)電源電感計(jì)算（視頻教學(xué)）
之前我們講到了時(shí)序的問題，我們要對電容進(jìn)行一個(gè)充電，同時(shí)對負(fù)載進(jìn)行放電。由于充電電流小，放電電流大，所以電容電壓始終沒有起色。
2019-05-29 標(biāo)簽：充電電路開關(guān)電源電路設(shè)計(jì) 5575 0
通過硬件波形的整形、儲(chǔ)存，以及根據(jù) 時(shí)序 來分配并動(dòng)作，根據(jù)時(shí)序進(jìn)行多路信號的切換，以及不同波形在不同時(shí)刻發(fā)生不同的動(dòng)作。
首次搭建自舉電容電路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)
說到P管和N管作為一個(gè)開關(guān)管使用的時(shí)候，如果是N管作為開關(guān)管的話應(yīng)該放到地上面去，P管作為開關(guān)管的話，應(yīng)該放到電源上面去。
2019-04-22 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)電容電壓自舉電容 3950 0
了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建，分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán)；
本文開始介紹了IR2110內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)，其次介紹了高壓側(cè)懸浮驅(qū)動(dòng)的自舉原理與自舉元器件的分析與設(shè)計(jì)，最后介紹了IR2110的擴(kuò)展應(yīng)用與應(yīng)用實(shí)例。
自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無法驅(qū)動(dòng)。自舉是指通過開關(guān)電源MOS管和...
2017-12-26 標(biāo)簽：自舉電容 2.7萬 0
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