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標(biāo)簽 > 薄膜
薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為:由原子,分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例:光學(xué)薄膜、復(fù)合薄膜、超導(dǎo)薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器,機(jī)械,印刷等行業(yè)。
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水晶光電斬獲第25屆中國(guó)專(zhuān)利優(yōu)秀獎(jiǎng)
近日,國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局發(fā)布第二十五屆中國(guó)專(zhuān)利獎(jiǎng)授獎(jiǎng)決定,水晶光電憑借授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利“高折射率氫化硅薄膜的制備方法、高折射率氫化硅薄膜、濾光疊層和濾光片”,一...
2025年第一季度高機(jī)能薄膜產(chǎn)業(yè)觀(guān)察
“根據(jù)CINNO Research產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),受上述新型顯示、新能源等下游產(chǎn)業(yè)行情影響,Q1’25中國(guó)大陸高機(jī)能薄膜產(chǎn)業(yè)投資金額同比、環(huán)比均增長(zhǎng),新增...
2025-06-06 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)薄膜光伏 602 0
光頡高精度薄膜片式電阻器ARG02DTC1402:精密電路設(shè)計(jì)的核心元件
隨著電子設(shè)備向小型化、高性能化方向快速發(fā)展,精密電阻器在電路設(shè)計(jì)中的重要性日益凸顯。尤其在醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、通信終端等高精度領(lǐng)域,電阻器的穩(wěn)定性、溫...
在追求高效節(jié)能與極致光效的今天,傳統(tǒng)照明技術(shù)的局限,存在陰陽(yáng)色斑、能耗過(guò)高、適配復(fù)雜等問(wèn)題。為解決這些問(wèn)題,鴻利智匯全新推出高光效陶瓷3535薄膜產(chǎn)品,...
本文介紹了PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素。 影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)? 以SiH4+NH3/N2生成SiNx薄膜,SiH4+...
上海大學(xué)/福建物構(gòu)所:研究基于HOFs薄膜的可穿戴式汗液傳感器
氫鍵有機(jī)框架(HOFs)作為一種新興的材料,因其固有的孔隙結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的生物相容性和可調(diào)節(jié)的催化能力,被認(rèn)為是構(gòu)建高靈敏度生物傳感器的理想平臺(tái)。然而,傳統(tǒng)...
來(lái)自斯坦福大學(xué)和韓國(guó)Ajou大學(xué)的科學(xué)家們?cè)凇禨cience》雜志上發(fā)表了一項(xiàng)開(kāi)創(chuàng)性的研究成果。他們發(fā)現(xiàn)了一種新型的非晶態(tài)NbP半金屬薄膜,其電阻率隨著...
本文介紹了CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質(zhì)量影響因素 以下將以PECVD技術(shù)沉積薄膜作為案例,闡述影響薄膜品質(zhì)的幾個(gè)核心要素。 PEC...
一文了解觸控導(dǎo)電薄膜行業(yè)概況(ITO、納米銀線(xiàn))
一、觸摸屏三代技術(shù)路線(xiàn),電容屏有望加速替代其他技術(shù) 觸摸屏(簡(jiǎn)稱(chēng)“TP”),是一種可接收觸頭等輸入訊號(hào)的感應(yīng)式液晶顯示裝置,可用以取代機(jī)械式的按鈕面板。...
模擬電路用于信號(hào)傳輸處理,易失真需選優(yōu)質(zhì)電容器,薄膜電容頻率特性好、介質(zhì)損失小,是模擬電路優(yōu)中選擇,對(duì)保持信號(hào)完整性和提高性能很重要。
模擬電路用于信號(hào)傳輸處理,易失真需選優(yōu)質(zhì)電容器,薄膜電容頻率特性好、介質(zhì)損失小,是模擬電路優(yōu)中選擇,對(duì)保持信號(hào)完整性和提高性能很重要。
Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級(jí)的納米薄膜
納米薄膜材料,是納米材料在二維空間內(nèi)的應(yīng)用材料,是納米晶粒在二維平面內(nèi)按照一定的排列方式粘合,晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜,具有薄層致密和晶粒納米級(jí)...
本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理。 干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫(xiě)?刻蝕的過(guò)程是怎么樣的?干法刻氧化硅的化學(xué)方程式? 如上圖,以F系氣體刻蝕為例,反...
氮化硅(Si?N?)薄膜是一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜不僅介電特性?xún)?yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅,還具備對(duì)...
一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜的介電特性?xún)?yōu)于二氧化硅,具有對(duì)可移動(dòng)離子較強(qiáng)...
在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中,薄膜技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。而磁控濺射鍍膜作為一種常用的薄膜制備方法,其工藝的成功與否關(guān)鍵在于對(duì)薄膜性能的準(zhǔn)確表征。 一、薄膜的物理...
型號(hào)RCML08W103JT薄膜排阻規(guī)格參數(shù)功能及供應(yīng)商
1. 產(chǎn)品概述 RCML08W103JT是一款高精度薄膜排阻(又稱(chēng)網(wǎng)絡(luò)電阻),廣泛用于對(duì)電阻精度和一致性有高要求的電路應(yīng)用場(chǎng)景。薄膜排阻的主要特點(diǎn)是它將...
? ? ? 本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的影響。 磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的性能有著決定性的影響。這些參數(shù)包括濺射氣壓、濺射功率、靶基距、基底...
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