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負(fù)載開(kāi)關(guān)

+關(guān)注2人關(guān)注

負(fù)載開(kāi)關(guān)，也叫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，是區(qū)別于隔離開(kāi)關(guān)的名詞。隔離開(kāi)關(guān)用于切斷負(fù)載后再斷開(kāi)線路與電源的連接，也就是說(shuō)只能在沒(méi)有負(fù)載電流的情況下進(jìn)行開(kāi)閘、合閘的操作。而負(fù)載開(kāi)關(guān)上邊帶有快速分離的副刀，可帶產(chǎn)品規(guī)定的負(fù)載進(jìn)行開(kāi)閘、合閘的操作。

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負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)

TPS22904 具有輸出放電的 3.6V、0.5A、66mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22903 和 TPS22904 超小，低 r~上~單通道帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在輸入電壓范圍為 1...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 845 0

TPS22934 具有輸出放電的 3.6V、1A、63mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22934 是一個(gè)小的低導(dǎo)通電阻（r ~上~ ）帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開(kāi)關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 ...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器導(dǎo)通電阻 450 0

TPS22924B 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)，輸出放電和 3.6V 時(shí)上升時(shí)間為 100μs數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開(kāi)關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作至...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān) 416 0

TPS22920 具有輸出放電的 3.6V、4A、5.3mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22920x 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開(kāi)關(guān) 具有受控導(dǎo)通功能，以減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可以在 0.75 V 至 ...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān) 335 0

TPS22913 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小，低 r~上~負(fù)荷具有受控打開(kāi)功能的開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)輸入電壓 493 0

TPS22910A 具有低電平有效使能的 5.5V、2A、60mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小、低 r~上~負(fù)荷具有受控打開(kāi)功能的開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 336 0

TPS22929D 具有輸出放電的 5.5V、1.8A、115mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22929D是一個(gè)小型的、低的r~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開(kāi)關(guān) 上。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在 1.4 V 至 5.5 伏。該開(kāi)關(guān)由...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 434 0

TPS22912C 具有高電平有效啟用的 5.5V、2A、60mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小、低 r~上~負(fù)荷具有受控打開(kāi)功能的開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 477 0

TPS22966 2 通道、5.5V、6A、16mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22966 是一個(gè)小而低的 R ~上~ ，帶受控導(dǎo)通的雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。該設(shè)備包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.8 V 至 5.5 V ...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)輸入電壓 394 0

TPS22908 具有輸出放電的 3.6V、1A、28mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22908 是一個(gè)小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開(kāi)關(guān) 上。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在 1 V 至 3.6 的輸入電壓范圍內(nèi)工...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)輸入電壓 418 0

TPS22965 具有可調(diào)上升時(shí)間和可選輸出放電的 5.7V、6A、16mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22965x 是一款單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，可提供可配置的上升時(shí)間最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個(gè)可在輸入上工作的 N 溝道 MOSFET 電壓范...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 502 0

TPS27081A 具有可調(diào)上升時(shí)間的 8V、3A、44mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS27081A 器件是一款高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)，集成了 Power PFET 和控制 NFET 在一個(gè)微型封裝中。 TPS27081A 的所有引腳均...

2025-05-12 標(biāo)簽：ESD 封裝負(fù)載開(kāi)關(guān) 534 0

TPS22930A 5.5V、2A、35mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22930 是一個(gè)小而低的 R~上~帶受控開(kāi)啟的負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在 1.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 封裝負(fù)載開(kāi)關(guān) 472 0

TPS22924D 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)，3.6V 時(shí)具有 6200μs 的輸出放電和上升時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22924D 是一個(gè)小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開(kāi)關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 ...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 導(dǎo)通電阻 442 0

TPS22964C 具有輸出放電的 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開(kāi)關(guān) 受控打開(kāi)。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān) 377 0

TPS22967 具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電的 5.5V、4A、22mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22967 器件是一款小型、超低 R ~上~ 、單通道負(fù)載帶受控導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在輸入電壓范圍為 0.8...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器封裝 450 0

TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開(kāi)關(guān) 受控打開(kāi)。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān) 478 0

TPS22966-Q1 2 通道、5.5V、16mΩ 汽車(chē)負(fù)載開(kāi)關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22966-Q1 器件是一款小型、超低 R ~上~ ，雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，上升時(shí)間可調(diào)。該器件包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0 V 至 5....

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 369 0

TPS22968 具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電功能的 2 通道、5.5V、4A、25mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22968x 是一款小型、超低 R ~上~ ，雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，帶受控導(dǎo)通。該器件包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.8 至 5.5 V 的...

2025-05-12 標(biāo)簽：電阻器封裝負(fù)載開(kāi)關(guān) 468 0

TPS22969 具有輸出放電的 5.5V、6A、4.4mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22969 是一個(gè)小的、超低的 R ~上~ 、單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)與受控打開(kāi)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在輸入電壓范圍為 0.8 V...

2025-05-12 標(biāo)簽：電流 MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān) 561 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
LT8705

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