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量子點(diǎn)

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量子點(diǎn)是一種重要的低維半導(dǎo)體材料，其三個維度上的尺寸都不大于其對應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑的兩倍。量子點(diǎn)一般為球形或類球形，其直徑常在2-20 nm之間。常見的量子點(diǎn)由IV、II-VI，IV-VI或III-V元素組成。

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量子點(diǎn)技術(shù)

伯納爾雙層石墨烯（BLG）在低磁場或零磁場的巨大潛力

【DT半導(dǎo)體】獲悉，本征的谷自由度使得雙層石墨烯（BLG）成為半導(dǎo)體量子比特的獨(dú)特平臺。單載流子量子點(diǎn)（QD）基態(tài)表現(xiàn)出雙重簡并性，其中構(gòu)成克萊默對的兩...

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量子點(diǎn)材料發(fā)光屬于什么發(fā)光

量子點(diǎn)材料發(fā)光屬于一種特殊的發(fā)光現(xiàn)象，稱為量子限制發(fā)光。量子點(diǎn)是一種具有量子尺寸效應(yīng)的納米材料，其尺寸通常在1-10納米之間。由于量子點(diǎn)的尺寸遠(yuǎn)小于光的...

2024-07-12 標(biāo)簽：納米材料發(fā)光二極管量子點(diǎn) 1136 0

半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料制備取得重要進(jìn)展

半導(dǎo)體量子點(diǎn)（QD）以其顯著的量子限制效應(yīng)和可調(diào)的能級結(jié)構(gòu)，成為構(gòu)筑新一代信息器件的重要材料，在高性能光電子、單電子存儲和單光子器件等方面具有重要應(yīng)用價(jià)...

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中波紅外量子點(diǎn)材料及其光電探測器研究分析

中波紅外量子點(diǎn)材料的成功制備是量子點(diǎn)在中波紅外波段諸如軍事國防、工業(yè)監(jiān)控和環(huán)境監(jiān)測等實(shí)際場景實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的重要前提，而自量子點(diǎn)被發(fā)現(xiàn)可應(yīng)用于中波紅外波段探測...

2024-01-05 標(biāo)簽：光譜光電探測器紅外成像 1703 0

石墨烯量子點(diǎn)的基本物理特性及應(yīng)用

本文詳細(xì)介紹了GQDs獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和磁學(xué)性能等特性，總結(jié)了異原子摻雜和復(fù)合材料構(gòu)筑等GQDs功能化的研究進(jìn)展，討論了GQDs在光學(xué)、電學(xué)、光電...

2024-01-02 標(biāo)簽：石墨烯光電探測器量子點(diǎn) 1092 0

量子點(diǎn)發(fā)光原理

量子點(diǎn)的發(fā)光原理主要與電子和空穴的相互作用以及它們與周圍環(huán)境的相互作用有關(guān)。當(dāng)量子點(diǎn)受到外來能量(例如光子)的激發(fā)時，電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，然后在導(dǎo)帶上...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光譜量子點(diǎn) 3408 0

利用EHD噴印技術(shù)在MEMS器件上實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)異的無掩膜沉積WO3膠體量子點(diǎn)

隨著新一代物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，氣體傳感器逐漸向小型化、低功耗以及芯片化發(fā)展。而傳統(tǒng)采用金屬氧化物構(gòu)建的半導(dǎo)體氣體傳感器存在制備和工作溫度高，與硅基工藝不兼...

2023-11-03 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)MEMS器件量子點(diǎn) 2573 0

高功率、低噪聲量子點(diǎn)DFB單模激光器研究進(jìn)展

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芯元基實(shí)現(xiàn)高效純紅光量子點(diǎn)芯片技術(shù)分析

芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計(jì)外，也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問...

2023-07-13 標(biāo)簽：Mini GaN 量子點(diǎn) 927 0

量子點(diǎn)，Nature！

有鑒于此，美國洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室Victor I. Klimov等人解決了上述挑戰(zhàn)并實(shí)現(xiàn)了電泵浦膠體量子點(diǎn)的放大自發(fā)輻射 (ASE)。開發(fā)的設(shè)備使用...

2023-06-25 標(biāo)簽：激光二極管量子點(diǎn) 933 0

綜述：利用微流控技術(shù)制備新型功能納米粒子的研究進(jìn)展

量子點(diǎn)是一種直徑通常在2 nm ~ 10 nm的半導(dǎo)體納米晶體，具有獨(dú)特的發(fā)光特性和電子特性，如窄發(fā)射光譜、高度穩(wěn)定性、發(fā)光可調(diào)性和高量子產(chǎn)率，已應(yīng)用于...

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Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展

由于CsPbBr3向γ-CsPbI3傳遞能量，因此γ-CsPbI3會表現(xiàn)出CsPbBr3的激發(fā)特性，可以調(diào)節(jié)該結(jié)構(gòu)的最佳激發(fā)波長。

2023-05-24 標(biāo)簽：全彩顯示量子點(diǎn)micro-led 677 0

Sci.Adv：石墨烯量子點(diǎn)聚集誘導(dǎo)發(fā)射旋轉(zhuǎn)分子的電子邊緣功能化

石墨烯量子點(diǎn)（GQDs）已經(jīng)被開發(fā)為光電子學(xué)的下一代候選物，利用了它們的生物相容性、熱和光穩(wěn)定性以及耐氧和耐水性。GQDs實(shí)現(xiàn)有效固態(tài)照明的主要挑戰(zhàn)之一...

2023-05-15 標(biāo)簽：石墨烯量子點(diǎn) 2604 0

小型化連續(xù)域束縛態(tài)量子點(diǎn)激光器

Mini-BIC結(jié)構(gòu)的核心設(shè)計(jì)思想結(jié)合了連續(xù)域束縛態(tài)的垂直方向限制和光子晶體禁帶反射結(jié)構(gòu)的橫向限制作用，通過對光子的三維強(qiáng)限制實(shí)現(xiàn)更小的結(jié)構(gòu)尺寸。如圖1...

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量子點(diǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)知識分析

量子點(diǎn)是一種納米級別的半導(dǎo)體，通過對這種納米半導(dǎo)體材料施加一定的電場或光壓，它們便會發(fā)出特定頻率的光，而發(fā)出的光的頻率會隨著這種半導(dǎo)體的尺寸的改變而變化...

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如何引入負(fù)電性量子點(diǎn)添加劑緩解界面Zn2+濃度梯度

量子點(diǎn)上豐富的含氧基團(tuán)被金屬Zn還原，從而與氧化的Zn2+相互作用，在Zn表面形成Zn-O鍵。為Zn2+預(yù)成核提供了豐富的位點(diǎn)。

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科學(xué)家研制出最新低成本的量子點(diǎn)太赫茲相機(jī)

近期，麻省理工學(xué)院、明尼蘇達(dá)大學(xué)和三星的研究人員開發(fā)了一種新型相機(jī)，可以在室溫和高壓下快速、高靈敏度地檢測太赫茲脈沖。更重要的是，它可以同時實(shí)時捕獲有關(guān)...

2022-12-05 標(biāo)簽：太赫茲量子點(diǎn) 1403 0

關(guān)于量子點(diǎn)光致發(fā)光QD-PL實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)方案

量子點(diǎn)顯示應(yīng)用的最新發(fā)展之一是QD彩色濾光片（QDCC），其中量子點(diǎn)粒子被分散在光刻膠中，然后被圖案化以替換子像素中的有色染料。

2022-07-14 標(biāo)簽：量子點(diǎn)量子點(diǎn)顯示器 4872 0

淺談QLED面板技術(shù) QLED和OLED對比分析

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2020-10-26 標(biāo)簽：led 顯示器發(fā)光二極管 1.5萬 0

QLED, Mini LED, Micro LED 技術(shù)解析

QLED 基本原理：傳統(tǒng) LED TV 採用了白光 LED 作為背光，經(jīng) TFT-LCD 控制像素光暗、RGB 叁原色濾色片控制顏色，不過色彩準(zhǔn)確度通...

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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紫光展銳是我國集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個指向，為個人與社會的智能化服務(wù)。
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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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