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標(biāo)簽 > 閂鎖效應(yīng)
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LU是 Latch Up的簡寫,即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常...
一文搞懂閂鎖效應(yīng):電路里的“定時炸彈”與防護(hù)指南
CMOS工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu),是由NMOS和PMOS的寄生NPN/PNP晶體管相互連接形成的。這些寄生晶體管平時處于關(guān)閉狀態(tài),但當(dāng)受到電壓尖...
2025-03-21 標(biāo)簽:CMOS電路閂鎖效應(yīng) 323 0
?閂鎖效應(yīng)(Latch-up)是?CMOS工藝中一種寄生效應(yīng),通常發(fā)生在CMOS電路中,當(dāng)輸入電流過大時,內(nèi)部電流急劇增加,可能導(dǎo)致電路失效甚至燒毀芯片...
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個非常重要的問題?,F(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 4368 0
閂鎖效應(yīng)(Latch-up)原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng):實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 2.1萬 0
HK32MCU應(yīng)用筆記(七)| 航順HK32MCU閂鎖效應(yīng)問題研究及預(yù)防措施
HK32MCU應(yīng)用筆記(七)| 航順HK32MCU閂鎖效應(yīng)問題研究及預(yù)防措施
2023-09-18 標(biāo)簽:晶體管閂鎖效應(yīng)航順芯片 1863 0
什么是“閂鎖效應(yīng)”?這對剛開始做單片機(jī)開發(fā)的新手來說有點(diǎn)陌生。單片機(jī)開發(fā)工程師解釋,從構(gòu)造上來看,單片機(jī)由大量的PN結(jié)組成。有一個由四重結(jié)構(gòu)“PNPN”...
2023-07-10 標(biāo)簽:單片機(jī)閂鎖效應(yīng) 1584 0
單片機(jī)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的因素,如何防止發(fā)生單片機(jī)閂鎖效應(yīng)?
單片機(jī)閂鎖效應(yīng)指的是單片機(jī)內(nèi)部金屬配線發(fā)生熔斷的現(xiàn)象,那么導(dǎo)致單片機(jī)閂鎖效應(yīng)的因素是什么?單片機(jī)開發(fā)工程師表示,已知的導(dǎo)致單片機(jī)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的因素有很多...
2023-07-10 標(biāo)簽:單片機(jī)閂鎖效應(yīng) 2235 0
具有1.8V邏輯電平和閂鎖效應(yīng)抑制的TMUX720x44V、8:1單通道和4:12通道精密多路復(fù)用器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 238 0
適用于單端和差分操作的現(xiàn)代化8:1多路復(fù)用器TMUX582F-SEP數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:復(fù)用器閂鎖效應(yīng) 267 0
具有閂鎖效應(yīng)抑制和1.8V邏輯電平的44V、低RON、2:1、4通道精密開關(guān)TMUX7234數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 230 0
具有閂鎖效應(yīng)抑制和1.8V邏輯電平的44V、低RON、1:1 (SPST)、單通道精密開關(guān)TMUX720x數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 180 0
具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:金屬氧化物閂鎖效應(yīng) 271 0
具有1.8 V邏輯電平和閂鎖效應(yīng)抑制特性的44V 2:1 (SPDT)精密開關(guān)TMUX7219數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 219 0
具有閂鎖效應(yīng)抑制和1.8V邏輯電平的低RON、1:1 (SPST) 4 通道精密開關(guān)TMUX721x數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 235 0
具有1.8V邏輯電平和閂鎖效應(yīng)抑制的TMUX7219-Q1 44V 2:1 (SPDT)精密開關(guān)數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 220 0
具有可調(diào)節(jié)故障閾值、1.8V邏輯電平和閂鎖效應(yīng)抑制的±60V故障保護(hù)、4 通道保護(hù)器TMUX7462F數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 219 0
具有閂鎖效應(yīng)抑制和1.8V邏輯電平的±60V故障保護(hù)、1:1 (SPST)、4 通道開關(guān)TMUX741xF數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:邏輯電平閂鎖效應(yīng) 220 0
一文搞懂閂鎖效應(yīng):電路里的“定時炸彈”與防護(hù)指南
什么是閂鎖(Latch-up)? CMOS 工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu),是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN/PNP 晶體管相互連接形成的...
2025-03-21 標(biāo)簽:CMOS閂鎖效應(yīng) 507 0
預(yù)防TVS閂鎖風(fēng)險(xiǎn)的方法與實(shí)際案例分析
仰賴先進(jìn)制程的進(jìn)步,電子產(chǎn)品得以在更小的面積及體積下實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的功能與更低的功耗,在這樣的趨勢下卻也使得主芯片的靜電耐受度降低。由于靜電導(dǎo)致的失效與市...
2022-10-10 標(biāo)簽:ESDTVS閂鎖效應(yīng) 1165 0
什么是“閂鎖效應(yīng)”?這個詞兒對我們來講可能有點(diǎn)陌生。從構(gòu)造上來看,單片機(jī)由大量的PN結(jié)組成。有一個由四重結(jié)構(gòu)“PNPN”組成的部分,其中連接了兩個PN結(jié)...
2021-11-18 標(biāo)簽:CMOS單片機(jī)閂鎖效應(yīng) 4710 0
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