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標(biāo)簽 > 閂鎖效應(yīng)
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LU是 Latch Up的簡寫,即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常...
一文搞懂閂鎖效應(yīng):電路里的“定時(shí)炸彈”與防護(hù)指南
CMOS工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu),是由NMOS和PMOS的寄生NPN/PNP晶體管相互連接形成的。這些寄生晶體管平時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài),但當(dāng)受到電壓尖...
2025-03-21 標(biāo)簽:CMOS電路閂鎖效應(yīng) 324 0
?閂鎖效應(yīng)(Latch-up)是?CMOS工藝中一種寄生效應(yīng),通常發(fā)生在CMOS電路中,當(dāng)輸入電流過大時(shí),內(nèi)部電流急劇增加,可能導(dǎo)致電路失效甚至燒毀芯片...
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個(gè)非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 4371 0
閂鎖效應(yīng)(Latch-up)原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng):實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個(gè)BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 2.1萬 0
HK32MCU應(yīng)用筆記(七)| 航順HK32MCU閂鎖效應(yīng)問題研究及預(yù)防措施
HK32MCU應(yīng)用筆記(七)| 航順HK32MCU閂鎖效應(yīng)問題研究及預(yù)防措施
2023-09-18 標(biāo)簽:晶體管閂鎖效應(yīng)航順芯片 1863 0
什么是“閂鎖效應(yīng)”?這對(duì)剛開始做單片機(jī)開發(fā)的新手來說有點(diǎn)陌生。單片機(jī)開發(fā)工程師解釋,從構(gòu)造上來看,單片機(jī)由大量的PN結(jié)組成。有一個(gè)由四重結(jié)構(gòu)“PNPN”...
2023-07-10 標(biāo)簽:單片機(jī)閂鎖效應(yīng) 1586 0
單片機(jī)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的因素,如何防止發(fā)生單片機(jī)閂鎖效應(yīng)?
單片機(jī)閂鎖效應(yīng)指的是單片機(jī)內(nèi)部金屬配線發(fā)生熔斷的現(xiàn)象,那么導(dǎo)致單片機(jī)閂鎖效應(yīng)的因素是什么?單片機(jī)開發(fā)工程師表示,已知的導(dǎo)致單片機(jī)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的因素有很多...
2023-07-10 標(biāo)簽:單片機(jī)閂鎖效應(yīng) 2236 0
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
2019-05-28 標(biāo)簽:IGBT閂鎖效應(yīng) 1.8萬 0
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