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閃存

閃存

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閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

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閃存資訊

未來需要怎樣的閃存?

未來需要怎樣的閃存?

按照行內(nèi)人士在日前舉辦的“中國閃存市場峰會”上所說,在2022年,整個存儲產(chǎn)業(yè)遭受了不小的打擊。然而,他們也都對存儲的未來相當(dāng)看好,他們當(dāng)中的大多數(shù)也認(rèn)...

2023-03-31 標(biāo)簽:閃存存儲西部數(shù)據(jù) 725 0

韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為   韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。

2009-12-31 標(biāo)簽:閃存NAND韓國 719 0

在美好的存儲世界中,有什么是可能的?

安全TRIM不僅指刪除數(shù)據(jù),還涉及管理一旦刪除就會留在存儲器上的標(biāo)記。 根據(jù)數(shù)據(jù)的敏感程度,刪除數(shù)據(jù)后在閃存上找不到殘留是非常重要的,因為這可能會暴露可信信息。

2020-07-14 標(biāo)簽:閃存NAND存儲系統(tǒng) 718 0

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。

2018-09-16 標(biāo)簽:閃存NAND3D 718 0

以閃存為動力的存儲云一個基于SSD的存儲陣列專家

硬盤驅(qū)動器漸出,而固態(tài)驅(qū)動器(SSD)漸入。

2020-08-07 標(biāo)簽:驅(qū)動器閃存虛擬技術(shù) 715 0

三星持續(xù)投資閃存芯片 加劇與NAND市場的差異化

12 月 11 日訊,近日,三星電子閃存芯片項目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動。據(jù)悉,三星電子一期投資 108 億美元,建成了三星電子存儲芯片項...

2019-12-12 標(biāo)簽:閃存NAND三星電子 715 0

市場臨近復(fù)蘇拐點,西部數(shù)據(jù)持續(xù)深耕發(fā)力閃存產(chǎn)品

市場臨近復(fù)蘇拐點,西部數(shù)據(jù)持續(xù)深耕發(fā)力閃存產(chǎn)品

在新冠疫情、通脹和地緣政治的影響下,全球經(jīng)濟(jì)自2022年開始步入下降通道 ,全球半導(dǎo)體市場也受到影響進(jìn)入下行,進(jìn)入2023年以后,這樣的趨勢還未改觀,這...

2023-04-10 標(biāo)簽:閃存存儲西部數(shù)據(jù) 715 0

英飛凌推出65納米嵌入式閃存微控制器樣品

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(M...

2011-11-19 標(biāo)簽:微控制器英飛凌閃存 715 0

DRAM與NAND閃存市場低迷,DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑

近日,據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春...

2025-02-06 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 715 0

由于經(jīng)濟(jì)和貿(mào)易形勢的不確定性 近期DRAM市場激增

由于經(jīng)濟(jì)和貿(mào)易形勢的不確定性 近期DRAM市場激增

由于過去兩年中平均銷售價格強(qiáng)勁上漲,DRAM登頂了2018年增長最快的產(chǎn)品排行榜。2018年DRAM市場預(yù)計將增長39%,成為了2017年的77%增長率...

2018-12-19 標(biāo)簽:閃存DRAM 712 0

NAND閃存芯片功能與應(yīng)用分析

NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點和應(yīng)用場景的詳細(xì)分析: 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲:以電信號形式長...

2025-08-11 標(biāo)簽:芯片閃存NAND 711 0

東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)高層領(lǐng)導(dǎo)無方 日本政府介入轉(zhuǎn)讓交易

由于財務(wù)狀況惡化,日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌,距離退市已經(jīng)越來越近,但是時至今日,轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進(jìn)展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息,面對...

2017-08-07 標(biāo)簽:東芝閃存 710 0

DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強(qiáng)烈

DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強(qiáng)烈

NAND產(chǎn)品中,同樣代表市場行情的256Gb TLC,第四季度單價為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。

2023-12-26 標(biāo)簽:NOR閃存閃存DRAM 710 0

短期內(nèi)NAND閃存需求的不如人意 并不影響市場的長期向好態(tài)勢

進(jìn)入2019年第二季度,NAND閃存的價格繼續(xù)呈下跌態(tài)勢,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心第一季度末發(fā)布的數(shù)據(jù),受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果...

2019-05-22 標(biāo)簽:閃存NAND 703 0

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存...

2025-01-14 標(biāo)簽:閃存NAND三星電子 702 0

全球NAND閃存市場聞風(fēng)而動 韓國對日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來,全球NAND Flash閃存市場價格已經(jīng)連跌了6個季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產(chǎn)能,其中...

2019-11-14 標(biāo)簽:閃存NAND 701 0

前腳預(yù)測存儲行業(yè)供過于求,聯(lián)想后腳卻進(jìn)軍存儲行業(yè)

合作指出,雙方將利用NetApp的全閃存數(shù)據(jù)管理解決方案和聯(lián)想領(lǐng)先的ThinkSystem基礎(chǔ)架構(gòu),聯(lián)合開發(fā)全新的聯(lián)想品牌存儲產(chǎn)品。雙方將在中國籌建一家...

2018-09-15 標(biāo)簽:閃存聯(lián)想存儲 700 0

賽靈思新一代閃存存儲解決方案為新一代云數(shù)據(jù)中心奠定基礎(chǔ)

云計算無處不在。云端環(huán)境的計算要求呈指數(shù)級增長,與此同時,摩爾定律的放緩制約了傳統(tǒng)計算技術(shù)的跟進(jìn)。高計算強(qiáng)度工作負(fù)載的出現(xiàn)與普及導(dǎo)致當(dāng)今對靈活應(yīng)變異構(gòu)計...

2018-10-14 標(biāo)簽:閃存賽靈思存儲 691 0

NAND閃存市場回暖,CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

NAND閃存市場回暖,CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

近日,據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測,2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上,從2017年的220億...

2018-07-14 標(biāo)簽:閃存NAND3D 688 0

憶聯(lián)如何以技術(shù)創(chuàng)新推動存儲產(chǎn)業(yè)變革

憶聯(lián)如何以技術(shù)創(chuàng)新推動存儲產(chǎn)業(yè)變革

在AI算力爆發(fā)式增長驅(qū)動千行百業(yè)智能升級的進(jìn)程中,數(shù)據(jù)存儲體系正面臨性能、容量與能效的三重考驗。在今年3月舉辦的2025中國閃存市場峰會(CFMS)上,...

2025-04-29 標(biāo)簽:閃存存儲SSD 686 0

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    HDD,Hard Disk Drive的縮寫,即硬盤驅(qū)動器的英文名。最基本的電腦存儲器,電腦中常說的電腦硬盤C盤、D盤為磁盤分區(qū)都屬于硬盤驅(qū)動器。硬盤一般常見的磁盤容量為80G、128G、160G、256G、320G、500G、750G、1TB、2TB等等。
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    microSD
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    Micro SD卡是一種極細(xì)小的快閃存儲器卡,其格式源自SanDisk創(chuàng)造,原本這種記憶卡稱為T-Flash,及后改稱為Trans Flash;而重新命名為Micro SD的原因是因為被SD協(xié)會(SDA)采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括Mini SD和SD卡。其主要應(yīng)用于移動電話,但因它的體積微小和儲存容量的不斷提高,已經(jīng)使用于GPS設(shè)備、便攜式音樂播放器和一些快閃存儲器盤中。
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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