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標簽 > 隨機存取存儲器
隨機存取存儲器是一種形式的計算機存儲器,可以以任何順序被讀取和改變,通常用于存儲工作數(shù)據(jù)和機器代碼。
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網(wǎng)絡服務幾乎在系統(tǒng)架構(gòu)的每一層都依賴于緩存。大型網(wǎng)絡服務依靠緩存系統(tǒng)來實現(xiàn)高性能和高效率。例如,在Facebook,CDN緩存為70%的網(wǎng)絡請求提供服務...
每一塊FPGA芯片都是由有限多個帶有可編程連接的預定義源組成來實現(xiàn)一種可重構(gòu)數(shù)字電路。
在同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙...
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器,是一種非易失性存儲器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可...
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應用領域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM...
非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器,提供非易失性存儲。
同步電路和異步電路的區(qū)別是什么? 同步電路:存儲電路中所有觸發(fā)器的時鐘輸入端都接同一個時鐘脈沖源,因而所有觸發(fā)器的狀態(tài)的變化都與所加的時鐘脈沖信號同步。
三星計劃背面供電網(wǎng)絡技術(shù)開發(fā)2nm芯片
BSPDN可以理解為Chiplet技術(shù)的演變(圖自:IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發(fā)展過程中的關(guān)...
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標之一是實現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡化了設計流程,還提升了整體...
Microchip 23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM技術(shù)解析
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機存取存儲器器件,可通過兼容串行...
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