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標(biāo)簽 > 集成電路
集成電路是一種微型電子器件或部件。把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。
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后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡(jiǎn)稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是...
集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配是在集成電路工廠建設(shè)過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),主要涉及到在一次機(jī)電安裝完成后,針對(duì)生產(chǎn)設(shè)備的具體需求進(jìn)行的二次機(jī)電系統(tǒng)配置與調(diào)整。...
相對(duì)于傳統(tǒng)金線鍵合,銅線鍵合設(shè)備焊接過(guò)程工藝窗口更小,對(duì)焊接的一致性要求更高。通過(guò)對(duì)銅線鍵合工藝窗口的影響因素進(jìn)行分析,探索了設(shè)備焊接過(guò)程的影響和提升辦...
芯片制造和傳統(tǒng)IC封裝的生產(chǎn)有何不一樣
DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來(lái)看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3n...
????在半導(dǎo)體集成電路(IC)制造過(guò)程中,鋁(Aluminum)是廣泛使用的一種金屬材料,特別是在金屬互連層(metal interconnect)和...
隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn),原始的本征氧化隔離技術(shù)(LocOS)已不適應(yīng)?!案綦x”是指利用介質(zhì)材料或反向PN結(jié)隔離集成電路的有源區(qū)器件,消除寄...
基于正交試驗(yàn)方法對(duì)鍵合金絲質(zhì)量影響研究
金絲鍵合技術(shù)是微電子領(lǐng)域的封裝技術(shù),一般采用金線,利用熱、壓、超聲共同作用,完成微電子器件中電路內(nèi)部連接,即芯片和電路或者引線框架之間的互連。本文在深入...
專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱ASIC)是一種根據(jù)特定需求而設(shè)計(jì)的集成電路。與通用集...
2024-04-14 標(biāo)簽:集成電路計(jì)算機(jī)視頻編解碼 1151 0
集成電路是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的部件,它將成百上千個(gè)電子元件集成在一個(gè)芯片上,從而實(shí)現(xiàn)了電子設(shè)備的微型化和高性能化。
飛秒激光器發(fā)射持續(xù)時(shí)間低于一皮秒的超短光脈沖,達(dá)到飛秒級(jí)(1fs=10-15s)。飛秒激光的特點(diǎn)是脈沖寬度極短,峰值強(qiáng)度高。
共封光學(xué)器件有何優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)
CPO市場(chǎng)產(chǎn)生的收入在 2022 年達(dá)到約 3800 萬(wàn)美元,預(yù)計(jì)到 2033 年將達(dá)26億美元,2022-2033 年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 46%。對(duì)快速增...
2023-07-17 標(biāo)簽:集成電路人工智能機(jī)器學(xué)習(xí) 1141 0
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
同相兩個(gè)輸入放大電路的作用,在一定程度上是相似的,但也有著顯著的差異,主要體現(xiàn)在它們的放大特性、輸入輸出阻抗、共模抑制能力以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。 一、同相...
射頻集成電路一直是射頻領(lǐng)域一個(gè)重要的分支,有其在當(dāng)今,集成電路領(lǐng)域更是我們的一個(gè)短板。射頻學(xué)堂在之前的文章中曾多次推從有關(guān)芯片和集成電路的相關(guān)文章,接下...
FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)芯片架構(gòu)是一種高度靈活和可編程的集成電路架構(gòu),它以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能,在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。FPGA芯片架構(gòu)...
當(dāng)下集成電路是以硅為基礎(chǔ)材料的,硅原子的直徑約為0.22納米,當(dāng)制程降至7納米以下時(shí),極易出現(xiàn)電涌和電子擊穿問(wèn)題,也就是已經(jīng)很難完美地控制電子了。
英集芯IP5568專為無(wú)線充電寶設(shè)計(jì)的快充電源管理SOC芯片
英集芯IP5568是一款專為無(wú)線充電寶和快充移動(dòng)電源設(shè)計(jì)的電源管理SOC芯片,集成了無(wú)線充電發(fā)射與接收、多種快充協(xié)議、USB Power Deliver...
本文介紹一種測(cè)量集成電路板RF噪聲抑制能力的通用技術(shù)。射頻抗干擾測(cè)試使電路板處于受控的射頻水平,代表其工作期間可能遇到的應(yīng)力。結(jié)果是一種標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)化測(cè)試...
基于VLAN的多層交換設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
基于VLAN的多層交換,是在局域網(wǎng)的多臺(tái)交換機(jī)中選取一臺(tái)或幾臺(tái)交換機(jī)作為中心(即Server),采用VTP(VLAN Trunk Protocol)建立...
以 TPS566242 降壓轉(zhuǎn)換器為例,如圖 1 中所示。新的工藝節(jié)點(diǎn)通過(guò)集成功能并提供額外的接地連接優(yōu)化了引腳布局,有助于在 1.6mm x 1.6m...
2022-10-14 標(biāo)簽:集成電路電源管理降壓轉(zhuǎn)換器 1131 0
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