什么是霍爾效應(yīng)原理

霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)后，人們做了大量的工作，逐漸利用這種物理現(xiàn)象制成霍爾元件?；魻栐话悴捎肗型鍺（Ge）,銻化銦（InSb）和砷化銦（InA）等半導(dǎo)體材料...

2023-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾元件 3k 0

CUR4000電流傳感器產(chǎn)品概述/應(yīng)用/特性/優(yōu)點

TDK CUR4000是一種單軸非接觸式磁場傳感器，用于電流隔離直流和交流電流測量。本期推文將從產(chǎn)品概況和應(yīng)用特點為您詳細(xì)介紹 CUR4000電流傳感器...

2021-12-16 標(biāo)簽：傳感器3D霍爾效應(yīng) 3k 0

如何使用MLX91206構(gòu)建非侵入式電流傳感器

關(guān)鍵區(qū)別在于，IMC由直接在霍爾傳感器芯片表面上施加的高磁導(dǎo)率和低矯頑場（非常軟）鐵磁層組成。

2021-05-06 標(biāo)簽：連接器霍爾效應(yīng)電流互感器 2.9k 0

3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基本原理及其應(yīng)用案例

本文將回顧 3D 霍爾效應(yīng)位置傳感器的基本原理，介紹這種傳感器在機器人、篡改檢測、人機接口控制和萬向電機系統(tǒng)中的應(yīng)用。然后以 Texas Instrum...

2024-08-01 標(biāo)簽：3D霍爾效應(yīng)位置傳感器 2.9k 0

什么是量子自旋霍爾效應(yīng)？

量子自旋霍爾效應(yīng)是一種拓?fù)浣^緣體的特性，指的是一種材料在內(nèi)部是絕緣的，但是在邊緣有導(dǎo)電的態(tài)。這些邊緣態(tài)具有特殊的性質(zhì)，例如不受雜質(zhì)或缺陷的影響，以及具有...

2023-05-23 標(biāo)簽：石墨烯霍爾效應(yīng) 2.9k 0

淺談霍爾效應(yīng)技術(shù)對電器設(shè)計的影響

本技術(shù)論文簡要介紹了霍爾效應(yīng)技術(shù)，其基本原理以及當(dāng)今先進技術(shù)的擴展。本文包括對霍爾效應(yīng)技術(shù)所關(guān)注的歷史領(lǐng)域以及如何認(rèn)識這些領(lǐng)域的回顧。本文檔中還提供了與...

2021-04-30 標(biāo)簽：放大器繼電器穩(wěn)壓器 2.8k 0

霍爾效應(yīng)實驗?zāi)康募皩嶒瀮x器裝置

霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種，霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的測量已成為研究半導(dǎo)體材料的主要方法之一。霍爾效應(yīng)實驗是指為了解霍爾效應(yīng)測量磁場原理而進行的實驗。

2023-06-07 標(biāo)簽：霍爾效應(yīng)霍爾元件 2.7k 0

什么是量子反?；魻栃?yīng)？量子反?；魻栃?yīng)有多反常？

長時間使用計算機時，會遇到計算機發(fā)熱、能量損耗、速度變慢等問題，這是因為常態(tài)下芯片中的電子運動沒有特定的軌道，它們相互碰撞從而發(fā)生能量損耗。量子霍爾效應(yīng)...

2023-11-09 標(biāo)簽：芯片集成電路摩爾定律 2.7k 0

詳盡解析三軸霍爾效應(yīng)傳感器的工作原理與應(yīng)用

軸霍爾傳感器以其三維感應(yīng)能力和可靠性在各個領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用。無論是在電子領(lǐng)域還是汽車領(lǐng)域，三軸霍爾傳感器都可以提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)和高效的控制。隨著技術(shù)...

2023-10-08 標(biāo)簽：傳感器霍爾效應(yīng) 2.7k 0

如何通過霍爾效應(yīng)測量半導(dǎo)體中電子和空穴的遷移率?

在半導(dǎo)體中，除了能帶寬度外，一個重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中，我們將研究霍爾效應(yīng)，這使我們能夠?qū)嶒炐缘卮_定半導(dǎo)體中的這一物...

2024-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測量 2.5k 0

霍爾傳感器是什么 霍爾傳感器的典型應(yīng)用有哪些？（中）

霍爾效應(yīng)器件的有效面積埋置于IC內(nèi)部，該硅片與封裝的一個特定面平行，該表面也稱為標(biāo)記面（每個IC的數(shù)據(jù)手冊會顯示距離標(biāo)記面的有效深度）。為了使開關(guān)以最佳...

2023-01-31 標(biāo)簽：封裝霍爾傳感器霍爾效應(yīng) 2.3k 0

Allegro如何使用霍爾效應(yīng)原理開發(fā)

霍爾效應(yīng)背后的基本物理原理是洛倫茲力，如圖1的上圖所示。當(dāng)電子沿垂直于外加磁場B的方向v移動時，它會受到力F的作用。洛倫茲力，既垂直于外加磁場，又垂直于電流。

2021-05-04 標(biāo)簽：集成電路allegro霍爾效應(yīng) 2.3k 0