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標(biāo)簽 > 靜電放電
靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。
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ESD靜電二極管布局設(shè)計(jì)是如何發(fā)展而來(lái)的?-優(yōu)恩半導(dǎo)體
電子元器件體積小且精密,如何布局設(shè)計(jì)才能在不占電路板空間的前提下發(fā)揮大作用是很多電子工程師思考的問(wèn)題。
不同靜電勢(shì)(電位差)的物體或表面之間的靜電電荷轉(zhuǎn)移,稱為靜電放電。
這次總結(jié)下ESD測(cè)試方面的知識(shí)。相信大家都熟悉產(chǎn)品的ESD測(cè)試,也遇見(jiàn)過(guò)由ESD造成的各種產(chǎn)品故障,例如端口損壞、通信卡死、數(shù)據(jù)跳動(dòng)、甚至產(chǎn)品燒毀;我最...
2020-12-24 標(biāo)簽:靜電放電bms設(shè)計(jì)測(cè)試 2.7k 0
因此,大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 測(cè)試的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。我國(guó)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 17626.2-1998)等同于IEC 6...
我們?cè)撊绾芜x擇一臺(tái)合適自己使用的靜電放電發(fā)生器
隨著中國(guó)電磁兼容儀器的發(fā)展不斷推進(jìn),市面上也有了越來(lái)越多的品牌和產(chǎn)品。今天小編就來(lái)和大家講講如何選擇一臺(tái)合適自己使用的靜電放電發(fā)生器,如何用更少的錢買到...
高速接口怎么避免靜電放電(ESD)的傷害 TVS二極管陣列(SPA二極管)來(lái)幫忙
Littelfuse公司的2個(gè)TVS二極管陣列(SPA二極管)系列旨在保護(hù)眾多最新高速接口免遭靜電放電(ESD)的傷害。 SP7538P TVS二極管陣...
在本文中,我們將討論典型的靜電放電(ESD)問(wèn)題和常見(jiàn)解決方案,靜電放電(ESD)是我們?cè)S多人每天遇到的常見(jiàn)現(xiàn)象,它是兩個(gè)不同電位(或電荷)物體之間突然...
在人們的日常工作生活中,靜電放電(ESD)現(xiàn)象可謂無(wú)處不在,瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns)、持續(xù)時(shí)間可達(dá)數(shù)百納秒且高達(dá)數(shù)十安培的電流,會(huì)對(duì)手機(jī)、筆記...
2020-06-06 標(biāo)簽:靜電放電電子系統(tǒng)電壓抑制器 1.6k 0
優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)要考慮哪些因素?
在了解了 ESD 的基本概念及其與用于板載 ESD 保護(hù)的工具和組件后,Qorvo將全面介紹靜電放電和移動(dòng)設(shè)備 ESD 系統(tǒng)設(shè)計(jì)建模技術(shù)和 RF 前端 ...
優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)要考慮哪些因素?
在了解了 ESD 的基本概念及其與用于板載 ESD 保護(hù)的工具和組件后,Qorvo將全面介紹靜電放電和移動(dòng)設(shè)備 ESD 系統(tǒng)設(shè)計(jì)建模技術(shù)和 RF 前端 ...
人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產(chǎn)生的ESD是指因人體在地上走動(dòng)磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電,當(dāng)此人去碰觸到IC時(shí),人體...
2017-02-09 標(biāo)簽:靜電放電 9.3k 0
ESD靜電放電抗擾度測(cè)試中出現(xiàn)的問(wèn)題主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。首先是手機(jī)通話中斷;其次是ESD靜電放電導(dǎo)致手機(jī)部分功能失效,但靜電放電過(guò)程結(jié)束后或者重新啟...
切換式電源產(chǎn)品在做驗(yàn)證時(shí),經(jīng)常會(huì)遭遇到ESD的相關(guān)問(wèn)題,有時(shí)處理起來(lái)需花費(fèi)非常多的時(shí)間,筆者從事切換式電源電路設(shè)計(jì)多年,希望能藉由之前ESD對(duì)策的經(jīng)驗(yàn)與...
靜電放電(ESD,electrostatic discharge)是電子工業(yè)最花代價(jià)的損壞原因之一,它會(huì)影響到生產(chǎn)合格率、制造成本、產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性以及...
通過(guò)對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對(duì)比,指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢(shì)。
嚴(yán)重性ESD問(wèn)題表面上看來(lái)只影響了制成品的用家,但實(shí)際上亦影響了各層次的制造商,如:保用費(fèi)、維修及公司的聲譽(yù)等等。
靜電放電保護(hù)時(shí)怎樣維持USB信號(hào)完整性
隨著常見(jiàn)文件的大小持續(xù)增加,高數(shù)據(jù)率也變得越來(lái)越重要。在這種等級(jí)的數(shù)據(jù)率,為數(shù)據(jù)線路增加任何電容都可能造成信號(hào)波形失真,導(dǎo)致數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)闹袛嗪?或故障。
2011-11-25 標(biāo)簽:USB靜電放電信號(hào)完整性 1.8k 0
本文介紹了手機(jī)靜電放電測(cè)試的要求和方法, 總結(jié)分析了手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)的主要失效現(xiàn)象和模式, 可供手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)及提高手機(jī)抗靜電能力設(shè)計(jì)時(shí)參考。
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