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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析
本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 3.4k 0
Buck電路中的自舉電容如何取值?計(jì)算依據(jù)是什么?
在電子電路中,具有動(dòng)態(tài)特性的器件往往是我們難以理解和掌握的,典型的動(dòng)態(tài)特性器件如電感和電容
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運(yùn)行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場 解釋: 轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場,即低于換相速度時(shí),步進(jìn)電動(dòng)機(jī)會(huì)產(chǎn)生失步。這是因?yàn)檩斎腚妱?dòng)機(jī)的電能...
2023-10-20 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)電動(dòng)機(jī) 4.6k 0
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn),總覺得這個(gè)不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng),然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電壓 2k 0
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)實(shí)現(xiàn)每比特阿焦級的電光調(diào)制器
MIT研究小組基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了每比特阿焦級的電光調(diào)制器,創(chuàng)造了新的低功耗調(diào)制器記錄。
2023-09-19 標(biāo)簽:二極管晶體管光伏效應(yīng) 2.5k 0
什么會(huì)影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低呢?
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響
用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預(yù)涂...
基于使用振動(dòng)的觸覺反饋技術(shù)的運(yùn)用可能性
和偏心馬達(dá)的不同之處?超薄型Piezo(壓電)觸覺反饋設(shè)備 "PiezoHapt?執(zhí)行器"是使用了振動(dòng)的觸覺反饋技術(shù)及觸覺反饋等,擴(kuò)大了VR可運(yùn)用性的薄...
使用高壓MOS作為開關(guān),例如下圖(來自于ADI官網(wǎng))LTC2949的典型應(yīng)用電路中,使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān);選用高壓MOS的原因是成本相對...
TFT-LCD液晶面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)又是什么樣的呢?
眾所周知,液晶面板是液晶顯示器的心臟,占據(jù)了整個(gè)產(chǎn)品八成以上的成本,其質(zhì)量會(huì)直接影響到顯示器的色彩、亮度、對比度、可視角度等等功能參數(shù)和顯示效果。
整個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)體系中,差分線(對)是很難搞的部分,卻是最常用的部分。說到差分線基礎(chǔ)知識(shí),里面的概念很多,記得剛接觸的時(shí)候,奇模&共模有時(shí)候會(huì)搞不清楚。
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性
功率MOSFET在開通的過程中,當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由...
2023-02-16 標(biāo)簽:電流功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 2.2k 0
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