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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電流
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關(guān)于芯片設(shè)計(jì)面臨的新挑戰(zhàn)的方案設(shè)計(jì)
這要求設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)有不同的思維模式。Geada補(bǔ)充說(shuō):“實(shí)際上,就像常規(guī)計(jì)時(shí)一樣,我們必須將制程變異作為一階效應(yīng)處理,并使設(shè)計(jì)能夠容忍制程變異,而不是試圖將...
2019-08-30 標(biāo)簽:芯片晶體管驅(qū)動(dòng)電流 3069 0
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 2932 0
納芯微車(chē)用小電機(jī)驅(qū)動(dòng)SoC——NSUC1610
作為單芯片解決方案,NSUC1610支持12V汽車(chē)電池供電,適合于直接控制小型有刷直流電機(jī)(BDC)、無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的應(yīng)用
IRF540是一款常用的N溝道MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。作為一款功率MOSFET晶體管,IRF540的驅(qū)動(dòng)電流大小對(duì)其性能以及應(yīng)用范...
2023-12-25 標(biāo)簽:控制電路驅(qū)動(dòng)電流IRF540 2420 0
電平轉(zhuǎn)換針對(duì)的是兩個(gè)或者兩個(gè)以上的CPU之間的通訊需要進(jìn)行的一種轉(zhuǎn)換技術(shù),兩個(gè)CPU如果供電電壓不一樣,比如一個(gè)是1.2V,另一個(gè)是3.3V,那么在電平...
2022-08-19 標(biāo)簽:三極管電平轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)電流 2375 0
MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流 2357 0
IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...
2024-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 2243 0
電機(jī)長(zhǎng)時(shí)間空載運(yùn)行與負(fù)載運(yùn)行,哪種情況更容易發(fā)熱?
只要是在正常的帶載范圍內(nèi),步進(jìn)電機(jī)帶負(fù)載的轉(zhuǎn)速和空載沒(méi)有區(qū)別。步進(jìn)電機(jī)控制器工作在恒流斬波環(huán)境,當(dāng)電源,控制器,電機(jī)都連好以后,對(duì)于電源來(lái)說(shuō),其負(fù)載是恒...
2023-03-29 標(biāo)簽:控制器電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 2171 0
市面上很火的32位單片機(jī)—PY32F030單片機(jī)的產(chǎn)品特性介紹
PY32F030 系列單片機(jī)是采用了高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核,寬電壓工作范圍的 MCU。
2024-03-22 標(biāo)簽:單片機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)電流 2049 0
如果我們要把- -個(gè)20mA的LED燈的亮度調(diào)節(jié)到25% ,我們可以把電流直接調(diào)到5mA ,也可以讓LED以20mA的電流亮25%的時(shí)間,滅75%的時(shí)間...
對(duì)于手機(jī)廠商來(lái)說(shuō),手機(jī)快充不統(tǒng)一的情況下,用戶買(mǎi)充電頭、充電線都需要買(mǎi)自己的,否則就不能實(shí)現(xiàn)快充功能。
含125字節(jié)EEPROM,最少擦寫(xiě)次數(shù)為1000,寫(xiě)入最小電壓2.5V,讀取最小電壓1.8V的規(guī)格。
2022-11-14 標(biāo)簽:EEPROM驅(qū)動(dòng)電流VDD 1791 0
雙極性步進(jìn)電機(jī)及其結(jié)構(gòu)和控制模式介紹
在如今這個(gè)智能時(shí)代,步進(jìn)電機(jī)因其特有的開(kāi)環(huán)位置控制性能而被廣泛應(yīng)用。各設(shè)備在步進(jìn)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中,對(duì)它輸出力矩的平滑性有一定的要求。
2024-01-24 標(biāo)簽:步進(jìn)電機(jī)BLDC驅(qū)動(dòng)電流 1758 0
做到這一點(diǎn)的一個(gè)方法是通過(guò)減少軌道數(shù)來(lái)降低單元高度--它被定義為每個(gè)單元的金屬線(或軌道)的數(shù)量乘以金屬間距。對(duì)于FinFET,通過(guò)逐步將一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)...
2023-03-23 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)電流 1556 0
當(dāng)輸出電壓Uout降低時(shí),基準(zhǔn)電壓與取樣電壓的差值增加,比較放大器輸出的驅(qū)動(dòng)電流增加,串聯(lián)調(diào)整管壓降減小,從而使輸出電壓升高。相反,若輸出電壓Uout超...
選擇手機(jī)充電器時(shí),是不是充電速度越快的越好呢?不一定!充電速度主要和充電器提供的電流有關(guān)。
芯片中的負(fù)載電流與驅(qū)動(dòng)電流之間的差異有哪些
在電子電路設(shè)計(jì)中,理解負(fù)載電流與驅(qū)動(dòng)電流的概念對(duì)于確保系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。
2024-05-22 標(biāo)簽:負(fù)載電流驅(qū)動(dòng)電流 1385 0
如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開(kāi)關(guān)?
MOS類(lèi)型高低邊開(kāi)關(guān)固有其優(yōu)勢(shì),比如壓降小,損耗低,控制簡(jiǎn)易,使用場(chǎng)景也比BJT類(lèi)型的高低邊開(kāi)關(guān)廣泛
2023-06-07 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動(dòng)BJT 1371 0
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