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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電路
驅(qū)動(dòng)電路(Drive Circuit),,其基本任務(wù)就是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào),對(duì)全控型器件則既要提供開通控制信號(hào),又要提供關(guān)斷控制信號(hào),以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。
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如下這個(gè)三極管共射極驅(qū)動(dòng)電路中,B、E極之間的下拉電阻的作用?是否可以將其去除?
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
大電流H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與解析(含自舉電路的講解)
之前介紹過(guò)H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的基本原理,但是以集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片為示例。這些集成的芯片使用起來(lái)比較簡(jiǎn)單,但是只能適用于一些小電流電機(jī),對(duì)于大電流的電機(jī)(比...
2022-12-12 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)電路自舉電路 1.1萬(wàn) 0
設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí),mos管驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求
mos管因?yàn)閮?nèi)阻低,開發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-12-12 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 2
針對(duì)低功率/低電源電壓應(yīng)用的5MBd數(shù)字光耦合器
本文介紹了電氣系統(tǒng)中的數(shù)字光電耦合器提供高壓絕緣和高壓絕緣數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的噪聲抑制。一個(gè)高質(zhì)量的絕緣屏障,在里面光耦合器需要提供卓越的可靠性和耐久性信號(hào)隔離。
2022-12-11 標(biāo)簽:光耦合器驅(qū)動(dòng)電路電氣系統(tǒng) 2k 0
TFT是英文Thin Film Transistor(薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的縮寫。TFT液晶顯示器件是指在液晶顯示器件的每個(gè)像素上都連接一個(gè)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體...
新手設(shè)計(jì)的電路到底能挑多少毛病?電路糾錯(cuò)+詳細(xì)分析
公司來(lái)了幾個(gè)實(shí)習(xí)生,評(píng)審他們?cè)O(shè)計(jì)的電路之后,發(fā)現(xiàn)很多低級(jí)錯(cuò)誤,挑兩個(gè)電路出來(lái)分析,目的是為了避免大家犯類似的錯(cuò)誤。
2022-11-30 標(biāo)簽:led三極管驅(qū)動(dòng)電路 1.5k 0
盤點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管在電路中應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請(qǐng)移步:MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)。
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 9.9k 0
發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成,也具有單向?qū)щ娦浴?/p>
2022-11-30 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路 1.9萬(wàn) 0
三極管驅(qū)動(dòng)電路與推挽電路錯(cuò)誤分析
其中UL的大小是不定的,所以基極電流Ib也是不定的,很可能導(dǎo)致三極管無(wú)法工作在飽和狀態(tài),使得負(fù)載無(wú)法被驅(qū)動(dòng)。
2022-11-29 標(biāo)簽:led三極管驅(qū)動(dòng)電路 6k 2
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...
2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬(wàn) 0
10W充電器ic U9513B采用原邊恒壓控制(PSR-CVM) 、原邊恒流控制 (PSR-CCM),恒壓模式可調(diào)線損補(bǔ)償(CDC)。
2022-11-18 標(biāo)簽:三極管驅(qū)動(dòng)電路OCP 2.3k 0
ULN2003步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
ULN2003 是高耐壓、大電流達(dá)林頓陳列,由七個(gè)硅 NPN 達(dá)林頓管組成。
2022-11-14 標(biāo)簽:步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路ULN2003 8k 0
對(duì)蜂鳴器播放音樂(lè)涉及到的知識(shí)點(diǎn)進(jìn)行重點(diǎn)說(shuō)明
注意:這里的“源”不是指電源,而是指震蕩源。也就是說(shuō),有源蜂鳴器內(nèi)部帶震蕩源,所以只要一通電就會(huì)叫; 而無(wú)源內(nèi)部不帶震蕩源,所以如果用直流信號(hào)無(wú)法令其鳴...
2022-11-10 標(biāo)簽:三極管驅(qū)動(dòng)電路蜂鳴器 6.5k 0
SAR型ADC的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
本文是以AD7689的SAR型ADC為例的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),其他類型的SAR 型ADC也是類似的。
2022-11-09 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)adc驅(qū)動(dòng)電路 5.3k 0
電源MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2022-11-08 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率電源 7.3k 0
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與解析
此時(shí)便需要自行用半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。
2022-11-06 標(biāo)簽:芯片驅(qū)動(dòng)電路H橋電機(jī) 2.0萬(wàn) 0
觸點(diǎn)在閉合時(shí),觸點(diǎn)回跳時(shí)所產(chǎn)生的反復(fù)拉弧可能在短時(shí)間內(nèi)釋放巨大的熱量(尤其是受到大電流沖擊時(shí)),使接觸面局部快速加熱、軟化、熔化,然后迅速冷卻、凝固導(dǎo)致...
2022-11-04 標(biāo)簽:繼電器驅(qū)動(dòng)電路 1.2萬(wàn) 0
放大倍數(shù)F比較大,因此輸入共模電壓就被衰減了,Vo_cm會(huì)非常小,共模抑制比是差模增益與共模增益的比值,因此共模抑制比就可以提高。
2022-11-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路共模抑制比運(yùn)放放大器 4.5k 0
最近在公司碰到MOS驅(qū)動(dòng)芯片損壞的問(wèn)題,啃了一些資料后還算搞明白了點(diǎn)東西,來(lái)分享一些其中的基本原理吧。
2022-10-31 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)電路自舉電容 7.3k 1
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