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標(biāo)簽 > DDR3
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫(xiě)入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來(lái)校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說(shuō)在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過(guò)高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說(shuō)針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫(xiě)以達(dá)到省電功效。
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫(xiě)入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來(lái)校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說(shuō)在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過(guò)高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說(shuō)針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫(xiě)以達(dá)到省電功效。
LP2998-Q1 用于汽車(chē)應(yīng)用的 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿(mǎn)足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-27 標(biāo)簽:DDR3運(yùn)算放大器線性穩(wěn)壓器 295 0
在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生DDR3的問(wèn)題解析
下面是調(diào)用的DDR3模塊的,模塊的倒數(shù)第二行是,模塊的時(shí)鐘輸入,時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專(zhuān)為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該器...
對(duì)于看英文手冊(cè),大家肯定都很苦惱,尤其是那種幾百上千頁(yè)的手冊(cè),真是看著就頭大, 不得不說(shuō),找個(gè)國(guó)產(chǎn)DDR的手冊(cè)是真難。 雖然比不上協(xié)議原文,但對(duì)于理解概...
2024-12-12 標(biāo)簽:DDR3 1021 0
如何應(yīng)對(duì)PCB設(shè)計(jì)中信號(hào)線的跨分割呢?
在PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到高多層、高密度的設(shè)計(jì),那么這種情況下就難免出現(xiàn)跨分割的情況
2024-05-27 標(biāo)簽:DDR3emiPCB設(shè)計(jì) 1493 0
FPGA通過(guò)AXI總線讀寫(xiě)DDR3實(shí)現(xiàn)方式
AXI總線由一些核心組成,包括AXI主處理器接口(AXI4)、AXI處理器到協(xié)處理器接口(AXI4-Lite)、AXI主外設(shè)接口(AXI4)、AXI外設(shè)...
基于FPGA的分布式視頻處理平臺(tái)設(shè)計(jì)方案
目前人們對(duì)于高清視頻的需求日益普遍,極致的視覺(jué)體驗(yàn)帶來(lái)的是技術(shù)上的革新,
2024-04-15 標(biāo)簽:FPGADDR3PCB設(shè)計(jì) 2975 0
XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計(jì)方案分享
在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面,DDR3運(yùn)行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級(jí)。
基于ZYNQ FPGA構(gòu)建嵌入式的模擬計(jì)算板卡
板卡基于高速400M 采樣AD 和ZYNQ FPGA構(gòu)建嵌入式的模擬計(jì)算板卡, 可用于工業(yè)雷達(dá),行業(yè)雷達(dá)的場(chǎng)合。板卡使用工業(yè)級(jí)芯片。
類(lèi)別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2023-04-10 標(biāo)簽:DDR3
UD PCIe 402信號(hào)處理模塊技術(shù)說(shuō)明書(shū)立即下載
類(lèi)別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2023-03-06 標(biāo)簽:DDR3信號(hào)處理PCIe
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別立即下載
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2023-01-13 標(biāo)簽:DDR3DDR2DDR4
DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展
近年來(lái),隨著人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、5G通信和游戲產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長(zhǎng),DDR內(nèi)存市場(chǎng)持續(xù)升溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù),2023年全球...
2025-06-25 標(biāo)簽:DDR3DDR內(nèi)存內(nèi)存技術(shù) 287 0
貞光科技:紫光國(guó)芯車(chē)規(guī)DDR3在智能駕駛與ADAS中的應(yīng)用
隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型,高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車(chē)不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商...
2025-06-05 標(biāo)簽:DDR3紫光國(guó)芯國(guó)產(chǎn)替代 414 0
燦芯半導(dǎo)體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP
燦芯半導(dǎo)體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo ...
2025-03-21 標(biāo)簽:芯片DDR3燦芯半導(dǎo)體 418 0
三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
據(jù)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨...
DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類(lèi)型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下是它們之間的...
2024-11-29 標(biāo)簽:DDR3數(shù)據(jù)DDR4 9611 0
三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
SK海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,帶動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格上行
雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產(chǎn)品,但其在電視機(jī)頂盒、無(wú)線路由器、交換機(jī)以及顯示器等設(shè)備中的應(yīng)用仍然廣泛。值得關(guān)注的是,全球第四大內(nèi)存商美光雖尚未明確決...
羅徹斯特電子推出一種可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案
DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),可以實(shí)現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。
先楫高性能MCU HPM6800系列產(chǎn)品生態(tài)綻放,共鏈未來(lái)
2024年3月28日,上海 - 國(guó)產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司(先楫半導(dǎo)體,HPMicro)攜手生態(tài)合作伙伴芯原、立功科技、順微電子和...
DDR5內(nèi)存相對(duì)于DDR4有更高的內(nèi)部時(shí)鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率,從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上,比DDR4的最高傳輸速...
2024-03-12 標(biāo)簽:DDR3存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸 1250 0
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