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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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MOM壓力傳感器的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案解析
電壓-電流轉(zhuǎn)換器流出的電流在電容器C i上 經(jīng)過2.5 us的積分 ,然后在解復(fù)用器上進(jìn)行采樣和移動(dòng)。
2021-04-22 標(biāo)簽:CMOS耦合器電流轉(zhuǎn)換器 4404 0
了解數(shù)字隔離器三個(gè)關(guān)鍵元件的性質(zhì)和相互依賴性
每個(gè)電影的內(nèi)在壓力也不同。聚酰亞胺比SiO 2具有更低的應(yīng)力,并且可以根據(jù)需要增加厚度。SiO 2厚度,因此隔離能力是有限的; 與厚的SiO 2層有關(guān)的...
2018-09-07 標(biāo)簽:CMOS數(shù)字隔離器耦合器 4402 0
哈嘍!哈嘍!大家好,正式給大家做個(gè)自我介紹,我叫小V,來(lái)自成都善思微科技有限公司。以后將由我——英俊瀟灑、風(fēng)流倜儻、玉樹臨風(fēng)、年少多金、神勇威武、天下無(wú)...
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng) “使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理,并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級(jí)電...
從像素提升到光學(xué)變焦,光學(xué)升級(jí)永不停歇
受CMOS尺寸限制,近幾年像素升級(jí)趨勢(shì)明顯放緩,蘋果從iPhone 6s開始到iPhone Xs Max一直采用12M像素。像素升級(jí)趨緩后,手機(jī)品牌越來(lái)...
AND電路,也被稱為“邏輯與”電路,其邏輯表達(dá)式為“?”。這個(gè)電路的特點(diǎn)是,只有當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)為1時(shí),才會(huì)輸出1。當(dāng)一個(gè)輸入為0,或者兩個(gè)輸入都為0時(shí),...
CMOS線性調(diào)整器雖然按用途分類多種多樣,但按性能大致分為有重視低消耗電流的調(diào)整器和重視瞬態(tài)響應(yīng)的高速LDO。由于這些區(qū)別對(duì)于跟隨輸入電壓或輸出電流的變...
2018-05-17 標(biāo)簽:CMOS電氣線性調(diào)整器 4309 0
基于CMOS工藝實(shí)現(xiàn)器件級(jí)噪聲優(yōu)化方法的研究
利用高速線掃描攝像機(jī)進(jìn)行監(jiān)控,具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點(diǎn),一般常見的線掃描攝像機(jī),感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí),每次僅對(duì)移動(dòng)中的物體做一次...
目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。
芯片的性能由什么決定 芯片最關(guān)鍵的技術(shù)是什么
芯片內(nèi)部集成了大量的晶體管和其他電子元件,這些元件可以協(xié)同工作,執(zhí)行各種復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算。這使得芯片能夠處理大量的數(shù)據(jù),完成各種復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。
2024-04-25 標(biāo)簽:CMOS數(shù)據(jù)傳輸電子元件 4279 0
基于CMOS數(shù)字輸出圖像傳感器件實(shí)現(xiàn)圖像采集接口電路的設(shè)計(jì)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,具有圖像功能的嵌入式應(yīng)用愈來(lái)愈多。從數(shù)碼相機(jī)、可視電話、多功能移動(dòng)電話等消費(fèi)產(chǎn)品到門禁、數(shù)字視頻監(jiān)視等工業(yè)控制及安防產(chǎn)品,圖像...
如何實(shí)現(xiàn)高性能的鎖相環(huán)(PLL)設(shè)計(jì)
鎖相環(huán)(PLL)是現(xiàn)代通信系統(tǒng)的基本構(gòu)建模塊,通常用在無(wú)線電接收機(jī)或發(fā)射機(jī)中,主要提供"本振"(LO)功能;也可用于時(shí)鐘信號(hào)分配和降...
采用射頻CMOS工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)肖特基二極管的設(shè)計(jì)
對(duì)于射頻集成電路而言,產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期與上市時(shí)間的縮短都是依賴仿真精確預(yù)測(cè)電路性能的設(shè)計(jì)環(huán)境的功能。為了使設(shè)計(jì)環(huán)境體現(xiàn)出高效率,精確的器件模型與互聯(lián)模型是...
低頻和高頻RF無(wú)線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段,由于CMOS工藝能實(shí)現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝,因而是RF電路首選工藝,通常RF-CMOS不會(huì)與數(shù)字CMO...
編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前...
基于CMOS圖像傳感器實(shí)現(xiàn)快速實(shí)時(shí)的自適應(yīng)曝光電路設(shè)計(jì)
從硬件結(jié)構(gòu)、曝光策略和模擬結(jié)果入手,在傳統(tǒng)滾筒式曝光基礎(chǔ)上,通過對(duì)用戶設(shè)定區(qū)域像素飽和值的統(tǒng)計(jì)和曝光時(shí)間選擇算法,提出了一種CMOS圖像傳感器大動(dòng)態(tài)范圍...
2021-03-16 標(biāo)簽:cmos圖像傳感器模數(shù)轉(zhuǎn)換器 4230 0
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