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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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基于原位摻雜和淺臺(tái)面型架構(gòu)的短波紅外InGaAs光電二極管開(kāi)發(fā)
隨著安防、汽車(chē)、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域需求的不斷增長(zhǎng),短波紅外(SWIR)傳感器的發(fā)展也隨之興起。
JESD204B規(guī)范是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布的較新版本,適用于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和邏輯器件。如果您正在使用FPGA進(jìn)行高速數(shù)據(jù)采集設(shè)計(jì),您會(huì)聽(tīng)到新的流行詞“JESD...
2023-05-26 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器JEDEC 1072 0
當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢(shì),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可...
摩爾定律下一個(gè)十年關(guān)鍵:3D堆疊的潛在優(yōu)勢(shì)
對(duì) 3D 堆疊 CMOS 進(jìn)行所有需要的連接是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進(jìn)行電源連接。在此設(shè)計(jì)中,NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨(dú)的...
全極性霍爾開(kāi)關(guān)AH462在加濕器中的應(yīng)用
加濕器是用于增加房間濕度的家用電器,能夠給指定房間加濕,也可以給鍋爐或與中央空調(diào)系統(tǒng)相連的整棟建筑加濕。目前加濕器中常用的霍爾元件是全極霍爾,起到一個(gè)開(kāi)...
從數(shù)十年前被發(fā)明以來(lái),MOS晶體管的尺寸已經(jīng)被大大縮小。門(mén)氧化層厚度、通道長(zhǎng)度和寬度的降低,推動(dòng)了整體電路尺寸和功耗的大大減少。由于門(mén)氧化物厚度的減小,...
核芯互聯(lián)15MHz、CMOS運(yùn)算放大器概述
CLA9061(單通道)、CLA9062(雙通道)和CLA9064(四通道)是15MHz、CMOS輸入的低漏電單路、雙路和四路低壓(1.8V 至 5.5...
2023-02-22 標(biāo)簽:CMOS運(yùn)算放大器 1066 0
隨著器件的特征尺寸減少到90mm 以下,柵氧化層厚度也不斷減小,載流子的物理特性不再遵從經(jīng)典理論,其量子效應(yīng)會(huì)變得非常顯著。納米器件的溝道摻雜濃度高達(dá)3...
USB消費(fèi)類應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)
CMOS開(kāi)關(guān)可用于連接和布線USB系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)線。通過(guò)選擇合適的開(kāi)關(guān),設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)增強(qiáng)現(xiàn)有設(shè)計(jì)而不是開(kāi)發(fā)新設(shè)計(jì)來(lái)顯著縮短設(shè)計(jì)周期。在本文中,我們將介...
硅的潛在設(shè)計(jì)——MoS 2或 WSe 2溝道
臺(tái)積電的幾個(gè)不同小組一直在從不同角度研究WSe2傳導(dǎo)和摻雜。一組使用氧等離子體將WSe2半導(dǎo)體單層轉(zhuǎn)化為Ox。該過(guò)程是自限性的,不影響底層的WSe2材料...
L1527射頻編碼芯片的主要特點(diǎn)及其應(yīng)用
L1527 是CMOS 結(jié)構(gòu)的預(yù)燒內(nèi)碼(遙控中的地址碼)通用編碼器,內(nèi)有 20 位可預(yù)燒寫(xiě) 100 萬(wàn)組內(nèi)碼組合,使得重碼率很低,具有更高安全性。
AN-938: 用于數(shù)字CMOS麥克風(fēng)前置放大器ASIC的數(shù)字和模擬測(cè)量單元
本應(yīng)用筆記旨在解釋使用音頻分析儀測(cè)量數(shù)字麥克風(fēng)前置放大器的輸入和輸出時(shí)模擬值和數(shù)字值之間的差異。具體而言,檢查以數(shù)字方式(FFS或dBFS)或在模擬域(...
80通道點(diǎn)陣LCD列驅(qū)動(dòng)電路AiP31063L芯片介紹
AiP31063L是一款采用低功耗高壓CMOS技術(shù)的LCD驅(qū)動(dòng)集成電路。該集成電路由40×2位雙向移位寄存器,40×2位數(shù)據(jù)鎖存和40×2位LCD驅(qū)動(dòng)部...
Bi-CMOS工藝將雙極型器件(Bipolar)與CMOS工藝結(jié)合,旨在融合兩者的優(yōu)勢(shì)。CMOS具有低功耗、高噪聲容限、高集成度的優(yōu)勢(shì),而雙極型器件擁有...
如何利用復(fù)合激光系統(tǒng)提升損傷CMOS圖像傳感器
高能激光是對(duì)抗光電成像系統(tǒng)的有效手段。隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 圖像傳感器性能和制作工藝的快速發(fā)展,其市場(chǎng)占有率已逐步趕超電荷耦合器件 (...
2023-07-15 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器成像系統(tǒng) 1041 0
安森美AR0830CS CMOS數(shù)位圖像傳感器介紹
安森美最新的AR0830CS 8百萬(wàn)像素影像感測(cè)器,具有一系列多用途功能,提供3840 (H) x 2160 (V) [16:9],60幀/秒 的4K影...
思特威推出8K和16K兩顆高分辨率高速工業(yè)CMOS圖像傳感器
憑借先進(jìn)的BSI技術(shù)和掩膜拼接工藝,SC830LA和SC1630LA能夠?qū)崿F(xiàn)更高的QE,從而在光線較弱的環(huán)境下提供更強(qiáng)大的感光性能。SC830LA和SC...
2023-09-21 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器工業(yè)相機(jī) 1033 0
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn),是設(shè)計(jì)一個(gè)滿足每位設(shè)計(jì)工程師要求的含LDO(DC-DC,PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方...
共讀好書(shū) 你即使從來(lái)沒(méi)有學(xué)過(guò)物理,從來(lái)沒(méi)學(xué)過(guò)數(shù)學(xué)也能看懂,但是有點(diǎn)太簡(jiǎn)單了,適合入門(mén),如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容,就要看這一期的內(nèi)容了,因?yàn)橹挥辛私?..
全極性霍爾開(kāi)關(guān)AH462可用于電子煙中的非接觸接近開(kāi)關(guān)
電子煙是通過(guò)霧化等手段將尼古丁等變成蒸汽后讓用戶體驗(yàn),有著和真煙一樣的味道和感覺(jué)?;魻栭_(kāi)關(guān)在電子煙中一般應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電池驅(qū)動(dòng)的非接觸接近開(kāi)關(guān)。
2023-05-17 標(biāo)簽:CMOS信號(hào)放大器電壓調(diào)節(jié)器 1000 0
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