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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的套筒式共源共柵運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)高增益、高單位增益帶寬和低功耗的設(shè)計(jì)
運(yùn)算放大器作為模擬系統(tǒng)和混合信號(hào)系統(tǒng)中的一個(gè)重要電路單元,廣泛應(yīng)用于數(shù)/模與模/ 數(shù)轉(zhuǎn)換器、有源濾波器、波形發(fā)生器和視頻放大器等各種電路中。伴隨著每一代...
2018-06-10 標(biāo)簽:cmos運(yùn)算放大器共源共柵 4.1萬(wàn) 0
74HC138是一款高速CMOS器件,74HC138引腳兼容低功耗肖特基TTL(LSTTL)系列。
電子技術(shù)年終總結(jié):2017年度十大技術(shù)突破盤點(diǎn)
科技的發(fā)展已然超越我們的想象,技術(shù)的創(chuàng)新不斷令我們咋舌?;仡?017年,我們可以看到納米級(jí)LED突破芯片間傳輸速率限制、世界首款72層3D NAND問(wèn)世...
當(dāng)CMOS技術(shù)遇上微波傳感器,更先進(jìn)的雷達(dá)系統(tǒng)誕生了
隨著武器測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步、傳統(tǒng)的測(cè)速技術(shù),如靶圈測(cè)試、天幕靶測(cè)試等方法因測(cè)試過(guò)程 繁瑣,精度較差,已不能滿足實(shí)時(shí)戰(zhàn)地測(cè)試的需要。而毫米波測(cè)速雷達(dá)將毫米波技...
能進(jìn)行動(dòng)態(tài)管理的嵌入式系統(tǒng)能耗方案
一直以來(lái),嵌入式處理器的低功耗是通過(guò)使用一些低功耗的空閑或睡眠模式來(lái)實(shí)現(xiàn)的?,F(xiàn)在,嵌入式處理器要承擔(dān)更復(fù)雜的工作,需要更高的性能。新的應(yīng)用程序(如音頻和...
視覺(jué)傳感器幾大技術(shù)要點(diǎn):技術(shù)分類、技術(shù)實(shí)現(xiàn)和應(yīng)用、選擇技巧
視覺(jué)傳感技術(shù)是傳感技術(shù)七大類中的一個(gè),視覺(jué)傳感器是指:通過(guò)對(duì)攝像機(jī)拍攝到的圖像進(jìn)行圖像處理,來(lái)計(jì)算對(duì)象物的特征量(面積、重心、長(zhǎng)度、位置等),并輸出數(shù)據(jù)...
大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒(méi)有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。 然而在電力電...
COMS集成電路是互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成電路的...
2017-12-21 標(biāo)簽:cmos轉(zhuǎn)換電路 8.6k 0
74hc244工作原理詳解_引腳圖及功能_電氣參數(shù)及應(yīng)用電路
74HC244是一款常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)芯片,常用于各種單片機(jī)mcu系統(tǒng)中,單片機(jī)io口輸出的電流很小而244芯片就是用來(lái)放大電流,他是具有三態(tài)輸出的八路緩沖...
數(shù)字電路電平標(biāo)準(zhǔn)與接口設(shè)計(jì)解析
在高速電路中如何實(shí)現(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)輸出呢?要么增大驅(qū)動(dòng)電流,要么降低電平標(biāo)準(zhǔn),或者提高晶體管工作速度。顯然前者會(huì)帶來(lái)非常大的功耗,因此改變電平標(biāo)準(zhǔn)和改進(jìn)晶體管...
CMOS芯片是一種低耗電存儲(chǔ)器,其主要作用是用來(lái)存放BIOS中的設(shè)置信息以及系統(tǒng)時(shí)間日期。CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件。
基于CMOS和DSA設(shè)計(jì)方法的數(shù)字步進(jìn)衰減器設(shè)計(jì)
采用CMOS技術(shù)的數(shù)字步進(jìn)衰減器能提供較高的抗ESD能力、高線性度、低插入損耗、串聯(lián)及并聯(lián)邏輯接口以及專有的超低噪音負(fù)電壓發(fā)生器。本文基于Peregri...
作為目前在世界上使用最為廣泛的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn),自從九十年代開(kāi)始在全球大規(guī)模商用以來(lái),GSM一直展示出強(qiáng)大的生命力。不管是在GSM的發(fā)源地歐洲,還是在移動(dòng)通...
ccd與cmos傳感技術(shù)的原理、作用及其區(qū)別對(duì)比詳解
無(wú)論是CCD還是CMOS,它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段,CCD/CMOS感光元件的核心都是一個(gè)感光二極管(photodiode),該二極管在...
基于商用CMOS工藝的RFID標(biāo)簽電路設(shè)計(jì)
射頻識(shí)別(RFID)市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng),2004年其銷售額高達(dá)17億美元,2008年預(yù)計(jì)將達(dá)到59億美元。這種激增的需求受到來(lái)自下一代RFID系統(tǒng)的帶動(dòng),...
基于0.35μmCMOS工藝的射頻壓控振蕩器設(shè)計(jì)
基于0.35μm工藝,考慮低壓和低功耗,設(shè)計(jì)了一個(gè)工作頻率為4.2GHz的VCO,并在該電路中分別采用積累型MOS電容和反型MOS電容進(jìn)行調(diào)諧。仿真結(jié)果...
一文讀懂ccd與cmos傳感技術(shù)的聯(lián)系和區(qū)別
無(wú)論是CCD還是CMOS,它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段,CCD/CMOS感光元件的核心都是一個(gè)感光二極管(photodiode),該二極管在...
RF 功率 LDMOSFET基本結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)簡(jiǎn)介
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...
基于電流復(fù)用技術(shù)和本振信號(hào)偶次諧的波高增益高線性度混頻器設(shè)計(jì)
混頻器是無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊, 對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機(jī)中, 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益...
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