cmos電平是模擬信號還是數字信號

CMOS電平是數字信號，COMS電路的供電電壓VDD范圍比較廣在+5--+15V均能正常工作，電壓波動允許±10，當輸出電壓高于VDD-0.5V時為邏輯...

2017-08-26 標簽：cmos模擬信號數字信號 1.2萬 0

CMOS器件的電流電壓輸入和輸出特性的分析

在討論與其他器件銜接傳輸信號的接口問題之前，首先需求深化了解本身的輸入、輸出特性。還需認識在信號傳輸過程中的延遲時間、噪聲特性等問題。

2020-07-10 標簽：cmos二極管噪聲 1.1萬 0

CCD與CMOS圖像傳感器的比較（CMOS Sensor原理）

CMOS 是英文Complementary Metal Oxide Semicondutor 的縮寫，這是一種主流的半導體工藝，具有功耗低、速度快的優(yōu)點...

2024-01-26 標簽：CMOS存儲器cpu 1.1萬 0

CMOS脈沖倍頻器的工作原理

用CMOS門電路組成的脈沖倍頻器。其輸出脈沖頻率是輸入脈沖頻率的2倍，其電路如圖1所示。該線路由兩個RC微分電路，一個反向器和一個2輸入端與非門組成。各...

2018-09-29 標簽：CMOS脈沖倍頻器 1.1萬 0

9個常被忽略的ADC技術指標，一起來看看！

為了降低功耗敏感型應用的功耗，器件通常在相對不用期間關斷，這樣做確實可以節(jié)省大量功耗，但器件重新啟動時，內部基準電壓源的穩(wěn)定以及內部時鐘的功能恢復都需要...

2018-03-26 標簽：CMOSADI電源抑制 1.1萬 0

圖像Bayer格式介紹及差值原理

Bayer俗稱為“拜耳陣列”，是實現 CCD 或 CMOS?傳感器拍攝彩色圖像的主要技術之一，是伊士曼·柯達公司科學家Bryce Bayer發(fā)明的，并于...

2023-05-29 標簽：傳感器CMOSCCD 1.1萬 0

CMOS集成電路設計中如何在物理層上實現電阻的設計

在集成電路的設計中，電阻器不是主要的器件，卻是必不可少的。如果設計不當，會對整個 電路有很大的影響，并且會使芯片的面積很大，從而增加成本。

2020-07-27 標簽：集成電路cmos電阻 1.1萬 0

cmos電平定義_cmos電平的高電平定義

　COMS集成電路是互補對稱金屬氧化物半導體（Compiementary symmetry metal oxide semicoductor）集成電路的...

2017-08-26 標簽：cmosttl 1.1萬 0

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術指標

CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉移，...

2017-01-03 標簽：cmosccd圖像傳感器 1.0萬 0

MEMS與IC集成工藝介紹 NEMS器件在IC 中的應用

現在微機電系統(tǒng)已經遠遠超越了“機”和“電”的概念, 將處理熱、光、磁、化學、生物等結構和器件通過微電子工藝及其他一些微加工工藝制造在芯片上, 并通過與...

2018-05-03 標簽：cmosnems微機電系統(tǒng) 1.0萬 0

從零學運放—運算放大器的參數

將運放的兩個輸入端接地，理想運放輸出為零，但實際運放輸出不為零。將輸出電壓除以增益得到的等效輸入電壓稱為輸入失調電壓。

2023-07-08 標簽：CMOS運算放大器補償器 1.0萬 0

關于攝像頭Camera的基礎知識詳解

物體通過鏡頭（lens）聚集的光, 通過CMOS或CCD集成電路，將光信號轉換成電信號，再經過內部圖像處理器（ISP）處理轉換成數字圖像信號，最后轉換成...

2022-08-04 標簽：CMOSCCD攝像頭 1.0萬 0

精密四路SPST CMOS模擬開關

為了實現高電壓額定值和出色的開關性能，DG1411系列是內置在日前，Vishay Siliconix公司的最新的高電壓硅柵工藝。一種外延層防止閉鎖。每個...

2019-06-04 標簽：CMOS模擬開關模擬信號 1.0萬 0

單片機5V轉3.3V電平的19種方法你知道嗎？

標準三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個毫伏的低壓降 （Low Dropout...

2019-05-18 標簽：CMOS二極管單片機 9994 0